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非対称IGCT(A-IGCT)

非対称IGCT(A-IGCT)

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非対称IGCTデバイス、YT-ASC40L6500IC

非対称IGCTモジュール 6500V 4000A

Brand:
YT
Spu:
試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験
Appurtenance:

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概要

非対称IGCT(A-IGCT)モジュールは、高度な中高電圧電力変換アプリケーション向けに設計された、高電力・高信頼性の半導体デバイスです。GTO技術の高電圧・大電流特性とIGCT技術の高速スイッチング性能を融合させることで、厳しい産業用電力電子システムに効率的なソリューションを提供します。

先進的なウエハー製造技術と最適化されたデバイス構造を特徴とする非対称IGCTモジュールは、低導通損失、高いターンオフ能力、優れた熱性能、および卓越した運用信頼性を実現します。過酷な産業環境下でも安定し、長期にわたって動作することを保証するよう設計されています。

非対称IGCTモジュールは、高電圧インバータ、産業用整流電源、鉱山用巻上装置、鉄道牽引、電力品質改善装置、大型モータ駆動装置、再生可能エネルギー発電の電力変換システムなど、幅広い分野で採用されています。

主な特長:

中~高電力アプリケーション向けの高電圧対応能力
大規模電力変換システム向けの高電流対応能力
導通損失が低く、システム効率の向上を実現
高速ターンオフ性能により、動的応答性が向上
連続的な産業用運用に適した高信頼性
高出力密度設計で、コンパクトな電力電子システムを実現

優れた電気特性と信頼性を備えた非対称IGCTモジュールは、次世代の高効率・高信頼性電力電子システムに不可欠な半導体ソリューションです。

試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

主要パラメータ

V DRM

6500

V

I TGQM

4000

A

I ターミナル・マスク

26

kA

V

1.88

V

バー T

0.56

mQ

V DCリンク

4000

V

メカニカルデータ

シンボル

仕様

条件

典型的な

ax

V DRM

静止電圧のピークのレプ

T Vj =125°C,I D≤I DRM,t p =10ms

4500

V

IDRM

静止電流のピーク

T Vj =125°C,V D=V DRM,t p =10ms

50

mA

d v /dt

アノード電圧の上昇の臨界速度

T Vj =125°C,V D=0.67V DRM

1000

V/μs

V DClin について K

中間DC電圧

GCTの100FIT故障率に対する永久DC電圧

4000

V

V RRM

逆電圧

\

17

V

国内データ

シンボル

仕様

条件

典型的な

ax

IDC

マックス RMSオン状態の電流

T C= 85 ,DC、 両面冷却

2000

A

Iターミナル・マスク

I 2t

最大 繰り返さない電波 状態電流

制限負荷積分

T Vj = 125 について ,sin cE 半波 , 10ms,

V D=V バー =0

26

338

KA

104A2

V ティム

オン状態の電圧

T Vj = 125°C,I T =4000A

3.75

4.11

V

V

バー T

限界電圧

傾き抵抗

T Vj = 125°C,I T = 1000… 4000A

1.88

0.55

V

ω

オンデータ

シンボル

パラメータ名

試験条件

典型的な

ax

ディ T /dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

TVJ = 125 について , IT = 4電子電源の電源が電源の電源の電源に変換される

5000

A/ について μ

t don

オンする遅延時間

T Vj = 125 について , 私 T = 5000A,V D = 4000V、

di /dt = V D/Li CL =20μF,L i = 3微分H,L CL =0.3μH

3

μ

t ダンSF

オン 遅延 時間 状態 返信

7

μ

t バー

上昇時間 (アンード電圧の落ちる時間)

1

μ

Eオン

発拍毎のオンエネルギー

3.3

J

切断データ

シンボル

仕様

条件

典型的な

ax

ITGQM

最大制御可能な切断電流

T Vj = 125°C,V DM ≤ V DRM , V D =4000V、L CL =0.3μH

CCL = 20μF,R ゼロです 4ω f=0..300Hz

DFwd = D CL = FY B 1100-60

4000

A

t ほら

オフ遅延時間

T Vj = 125,ITGQ = 4000A V D=4000V

V DM V DRM ,CCL = 20μF、 バー =0.4 オー

L i =3μH、 LCL =0.3μH

DFwd = D CL = FYB 1100-60

8

μ

t doffSF について

オフ遅延時間ステータスフィードバック

7

μ

t f

秋の時間

1

μ

Eオフ

発作毎の切断エネルギー

442.5

46.3

J

熱データ

シンボル

パラメータ名

試験条件

典型的な

ax

T Vj

T STG

接合動作温度

保管温度範囲

/

0

-40

125

60

バー thJC

バー thCH

熱抵抗、接合部からケースまで

熱抵抗、ケースからヒートシンクまで

両面冷却

8.5

3

電力量

電力量

ゲートユニット

シンボル

パラメータ名

試験条件

典型的な

ax

V 遺伝子番号 RMS

ゲートユニットの電圧

DC電圧またはAC正方波振幅(15kHz - 100kHz)。電源回路への絶縁なし。

28

40

V

P遺伝子番号 最大

マックス ゲートユニットの電源消費量

/

130

W

Iゲン・ミン

起動に必要な最小電流

ゲートユニット

分かってる 電力とゲートユニットに電源が必要

2

A

Iゲンマックス

内部電流制限

整流平均電流は

ゲートユニット

8

A

オプティカルコントロール入力/出力

t について (分)

t 消去する (min)

最小オン時間

最小オフ時間

/

40

40

μ

μ

PcSについて

POff CS

PsFについて

Pオフ SF

CS Oプティカル入力電源

CS O音響電源

SF Oプティカル出力

SF O音響電源

1mmのプラスチック光ファイバーで有効です (POF)

-15

-19

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t グラフ

t 復元する

パルス幅の限界値

外部リトリガーパルス幅

応答なしの最大パルス幅

/

700

400

1100

nS

nS

CS

命令信号の受信機

アジレント 車両タイプ: HFBR-2521

SF

状態フィードバックの送信機

アジレント 車両タイプ: HFBR-1521

視覚フィードバック

LED1 (グリーン )

電力供給はOK

電力供給が指定範囲内にあるとき ライトを点け

LED 2(グリーン )

ゲートオフ

GCT がオフになっているとき ライトを点け

LED 3(黄色 )

ゲート オン

ゲート電流が流れるときにライト

LED 4()

F オールト

ゲートドライブコンデンサが電圧の下にあるとき,またはゲートドライブ電圧が cS と一致しないか,または GCT が短回路になっている

LED 5(黄色 )

TBD

TBD

LED 6()

TBD

TBD

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