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3300V 400A
簡単な紹介
IGBT モジュール ,CRRCによって製造された高電圧、単一スイッチIGBTモジュール。3300V 400A。
特徴
| ●SPT+チップセットによる低スイッチング 損失 | 
| ● 低 V CEsat | 
| ●低ドライバ 電力 | 
| ●A lSiCベースプレートによる高 電力 c サイクリング 能力 y | 
| ●AlN基板による低熱 抵抗 | 
典型的な 応用
| ●トラクションドライブ | 
| ●DCチョッパー | 
| ●中電圧インバータ /コンバータ | 
最大定格値
| パラメータ | シンボル | 条件 | ほんの少し | マックス | ユニット | 
| 集合器-放出器の電圧 | 総額 | VGE =0V,Tvj ≥25°C | 
 | 3300 | V | 
| DCコレクタ電流 | 集積回路 | TC =80°C | 
 | 400 | A | 
| ピークコレクタ電流 | ICM | tp=1ms,Tc=80°C | 
 | 800 | A | 
| ゲート・エミッター・ボルト | VGES | 
 | -20 | 20 | V | 
| 総電力損失 | Ptot | TC =25°C,スイッチごと(IGBT) | 
 | 7100 | W について | 
| DC順方向電流 | IF | 
 | 
 | 400 | A | 
| ピーク順方向電流 | IFRM | tp=1ms | 
 | 800 | A | 
| サージ電流 | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 半正弦波 | 
 | 3000 | A | 
| IGBT 短絡 SOA | tpsc | VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C | 
 | 10 | μs | 
| 絶縁電圧 | Visol | 1分,f=50Hz | 
 | 10200 | V | 
| 接合温度 | Tvj | 
 | 
 | 150 | °C | 
| 接合動作温度 | Tvj(op) | 
 | -50 | 150 | °C | 
| ケース温度 | TC | 
 | -50 | 125 | °C | 
| 保管温度 | ターゲット・ストーブ | 
 | -50 | 125 | °C | 
| 
 取り付けトルク | Ms | ベースヒートシンク ,M6ネジ | 4 | 6 | 
 
 Nm | 
| MT1 | メイン端子 ,M8 スクリュー | 8 | 10 | 
IGBT 特性値
| パラメータ | シンボル | 条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
| コレクタ (- エミッタ) ブレークダウン電圧 | 特別特別特別特別特別 | VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C | 3300 | 
 | 
 | V | |
| コレクタ-エミッタ飽和電圧 | VCEsat | IC =400A, VGE =15V | Tvj= 25°C | 
 | 3.0 | 
 | V | 
| Tvj=125°C | 
 | 3.6 | 
 | V | |||
| コレクターが電流を切断 | ICES | VCE =3300V, VGE =0V | Tvj= 25°C | 
 | 
 | 5 | mA | 
| Tvj=125°C | 
 | 
 | 50 | mA | |||
| ゲート漏れ電流 | ゲノム | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 | 
 | 500 | nA | |
| ゲート-エミッタ閾値電圧 | 総額は | IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.5 | 
 | 7.5 | V | |
| ゲートチャージ | 司令部 | IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V | 
 | 4.0 | 
 | µC | |
| 入力容量 | サイエス | 
 
 VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C | 
 | 65 | 
 | 
 
 
 ロープ | |
| 輸出容量 | コース | 
 | 3.7 | 
 | |||
| 逆転移容量 | クレス | 
 | 0.8 | 
 | |||
| オンする遅延時間 | オン (オン) | 
 
 
 
 VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, インダクティブ負荷 | Tvj = 25 °C | 
 | 650 | 
 | 
 
 nS | 
| Tvj = 125 °C | 
 | 750 | 
 | ||||
| 昇る時間 | について | Tvj = 25 °C | 
 | 400 | 
 | ||
| Tvj = 125 °C | 
 | 470 | 
 | ||||
| オフ遅延時間 | 消して | Tvj = 25 °C | 
 | 1600 | 
 | 
 
 nS | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1800 | 
 | ||||
| 秋の時間 | tF | Tvj = 25 °C | 
 | 1100 | 
 | ||
| Tvj = 125 °C | 
 | 1200 | 
 | ||||
| オンスイッチング損失エネルギー | エオン | Tvj = 25 °C | 
 | 1400 | 
 | mJ | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1800 | 
 | ||||
| オフスイッチング損失エネルギー | オーフ | Tvj = 25 °C | 
 | 1300 | 
 | mJ | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1700 | 
 | ||||
| 短絡電流 | 短絡電流 | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V | 
 | 2500 | 
 | A | |
ダイオード特性値
| パラメータ | シンボル | 条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
| 順方向電圧 | VF について | IF =400A | Tvj = 25 °C | 
 | 2.3 | 2.6 | V | 
| Tvj = 125 °C | 
 | 2.35 | 2.6 | ||||
| 逆回復電流 | Irr | 
 VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C | 
 | 900 | 
 | A | 
| Tvj = 125 °C | 
 | 1000 | 
 | ||||
| 回収された電荷 | Qrr | Tvj = 25 °C | 
 | 700 | 
 | µC | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1000 | 
 | ||||
| 逆回復時間 | trr | Tvj = 25 °C | 
 | 850 | 
 | nS | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 2200 | 
 | ||||
| 逆再生エネルギー | エレック | Tvj =25 °C | 
 | 850 | 
 | mJ | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1300 | 
 | ||||

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