GD200HFX120C2SA_B36,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=100o C

340

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1190

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

バリュー

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=8.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.75

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.58

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

1.55

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

150

nS

t バー

昇る時間

32

nS

t 消して

切断する 遅延時間

330

nS

t f

秋の時間

93

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

9.7

mJ

Eオフ

切断する

損失

11.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

161

nS

t バー

昇る時間

37

nS

t 消して

切断する 遅延時間

412

nS

t f

秋の時間

165

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

20.2

mJ

Eオフ

切断する

損失

17.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

161

nS

t バー

昇る時間

43

nS

t 消して

切断する 遅延時間

433

nS

t f

秋の時間

185

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

22.4

mJ

Eオフ

切断する

損失

19.1

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.95

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.80

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

20.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

160

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

8.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

38.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

201

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

14.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150o C

44.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

212

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

15.6

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.126

0.211

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.032

0.053

0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g