IGBTモジュール、YMIF1200-33、単一スイッチIGBT、CRRC

パラメータ

シンボル

条件

M ～に

M ax

ユニット

集合器-放出器の電圧

総額

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

DC コレクター電流

集積回路

TC =80 °C

1200

A

ピークコレクタ電流

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

2400

A

ゲートエミッタ電圧

VGE

-20

20

V

総電力損失

Ptot

TC =25°C, スイッチごと(IGBT)

10500

W について

DC順方向電流

IF

1200

A

ピーク順方向電流

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

サージ電流

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, half-sinewave

9000

A

IGBT 短絡 SOA

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

10

µs

絶縁電圧

Visol

1分, f = 50 Hz

10200

V

接合温度

Tvj

150

°C

接合動作温度

Tvj(op)

-50

125

°C

ケース温度

TC

-50

125

°C

保管温度

ターゲット・ストーブ

-50

125

°C

取り付けトルク

M s

ベースヒートシンク, M6ネジ

4

6

Nm

MT1

メイン端子, M8ネジ ,

8

10

Mt2

補助端子, M6ネジ

2

3

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

コレクター (- エミッタ) ブレークダウン電圧

特別特別特別特別特別

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

コレクタ-エミッタ飽和電圧

VCE sat

C = 1200 A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj=125°C

3.8

4.3

V

コレクターが電流を切断

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

mA

Tvj=125°C

120

mA

ゲート漏れ電流

ゲノム

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C

-500

500

nA

ゲート-エミッタ閾値電圧

総額は

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

7.5

V

ゲートチャージ

司令部

IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V

12.1

µC

入力容量

サイエス

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

187

ロープ

輸出容量

コース

11.57

ロープ

逆転移容量

クレス

2.22

ロープ

オンする遅延時間

オン (オン)

VCC = 1800 V, IC = 1200A,

RG = 3.9Ω ,VGE =±15V

L σ = 280nH, インダクティブ負荷

Tvj=25°C

750

nS

Tvj=125°C

750

nS

昇る時間

について

Tvj=25°C

400

nS

Tvj=125°C

470

nS

オフ遅延時間

消して

Tvj=25°C

1600

nS

Tvj=125°C

1800

nS

秋の時間

tF

Tvj=25°C

1100

nS

Tvj=125°C

1200

nS

ターンオンスイッチング損失

エオン

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj=125°C

1800

mJ

オフスイッチング損失エネルギー

オーフ

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj=125°C

1700

mJ

短絡電流

短絡電流

VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, 誘導負荷

5000

A

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

順方向電圧

VF について

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

逆回復電流

Irr

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,インダクティブ負荷

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

回収された電荷

Qrr

Tvj = 25 °C

700

µC

Tvj = 125 °C

1000

µC

逆回復時間

trr

Tvj = 25 °C

850

nS

Tvj = 125 °C

2200

nS

逆再生エネルギー

エレック

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ