GD400HFX120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=90o C

595

400

A

ICm

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

800

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1875

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

400

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=400A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=400A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =125o C

2.00

IC=400A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =150o C

2.05

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 10.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

37.3

ロープ

Cres

逆転移転

容量

1.04

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

2.80

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=400A, バー G=2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

205

nS

t バー

昇る時間

77

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

597

nS

t f

秋の時間

98

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

18.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

32.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=400A, バー G=2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

214

nS

t バー

昇る時間

86

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

626

nS

t f

秋の時間

137

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

28.4

mJ

Eオフ

切断する

損失

48.9

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=400A, バー G=2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

198

nS

t バー

昇る時間

94

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

646

nS

t f

秋の時間

147

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

30.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

53.8

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え = 15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1440

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

IF =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

40

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

299

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

20.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

70

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

399

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

38.4

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

80

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

419

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

43.9

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

15

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.25

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.080

0.095

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.037

0.044

0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g