GD150HCX170C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

281

150

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

300

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

1136

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

300

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.25

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=6.00mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

4.3

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

18.1

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.44

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.41

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=150A, バー G=0.51Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48nH ,T vj =25o C

206

nS

t バー

昇る時間

44

nS

t 消して

切断する 遅延時間

337

nS

t f

秋の時間

331

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

39.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

21.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=150A, バー G=0.51Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48nH ,T vj =125o C

232

nS

t バー

昇る時間

54

nS

t 消して

切断する 遅延時間

422

nS

t f

秋の時間

514

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

55.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

32.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=150A, バー G=0.51Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =48nH ,T vj =150o C

239

nS

t バー

昇る時間

57

nS

t 消して

切断する 遅延時間

442

nS

t f

秋の時間

559

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

60.8

mJ

Eオフ

切断する 損失

34.9

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =1000V,

V 単数 ≤1700V

600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.95

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.90

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =25o C

42.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

142

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

22.3

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =125o C

64.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

147

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

35.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =150o C

72.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

148

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

38.8

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.132 0.209

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.029 0.047 0.009

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g