GD450HFX170C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

706

450

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

900

A

PD

最大電源 消耗 @ T =175o C

2542

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

450

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

900

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.25

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 18.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 － オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.67

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

54.2

ロープ

Cres

逆転移転

容量

1.32

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

4.24

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=450A バー G=3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

179

nS

t バー

昇る時間

105

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

680

nS

t f

秋の時間

375

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

116

mJ

Eオフ

切断する

損失

113

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=450A バー G=3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

208

nS

t バー

昇る時間

120

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

784

nS

t f

秋の時間

613

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

152

mJ

Eオフ

切断する

損失

171

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=450A バー G=3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

208

nS

t バー

昇る時間

120

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

800

nS

t f

秋の時間

720

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

167

mJ

Eオフ

切断する

損失

179

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

1800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.95

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.90

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =450A

-di/dt=4580A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

105

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

198

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

69.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =450A

-di/dt=4580A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

187

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

578

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

129

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =450A

-di/dt=4580A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

209

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

585

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

150

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2－

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2－

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2－

半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.059

0.083

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.031

0.043

0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g