GD50PIX170C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

100

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

384

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

50

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

100

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1600

V

わかった O

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

50

A について

わかった FSM

サージ順方向電流 V R =0V,T p =10ms,T j =45 o C

850

A について

わかった 2t

わかった 2t値,V R =0V,T p =10m s,T j =45 o C

3610

A について 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

100

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

384

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

50

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

100

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

最大接合温度（インバータ、ブレーキ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =50A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =50A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =50A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =2.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 タンス

9.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

6.02

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.15

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.47

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

163

nS

t r

昇る時間

44

nS

t 消して

切断する 遅延時間

290

nS

t f

秋の時間

347

nS

E on

オン スイッチング 損失

12.7

mJ

E オフ

切断する 損失

7.28

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について o C

186

nS

t r

昇る時間

51

nS

t 消して

切断する 遅延時間

361

nS

t f

秋の時間

535

nS

E on

オン スイッチング 損失

17.9

mJ

E オフ

切断する 損失

11.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について o C

192

nS

t r

昇る時間

52

nS

t 消して

切断する 遅延時間

374

nS

t f

秋の時間

566

nS

E on

オン スイッチング 損失

20.0

mJ

E オフ

切断する 損失

12.0

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について o C

1.95

わかった F =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について o C

1.90

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

11.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

48

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

6.08

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

20.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

52

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

11.4

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

23.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

54

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

13.1

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =50A, V 遺伝子組み換え =0V T j =150 について o C

1.14

V

わかった R

逆電流

T j =150 について o C,V R =1600V

3.0

mA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =50A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =50A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =50A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =2.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

9.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

6.02

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.15

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.47

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

163

nS

t r

昇る時間

44

nS

t 消して

切断する 遅延時間

290

nS

t f

秋の時間

347

nS

E on

オン スイッチング 損失

12.7

mJ

E オフ

切断する 損失

7.28

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について o C

186

nS

t r

昇る時間

51

nS

t 消して

切断する 遅延時間

361

nS

t f

秋の時間

535

nS

E on

オン スイッチング 損失

17.9

mJ

E オフ

切断する 損失

11.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について o C

192

nS

t r

昇る時間

52

nS

t 消して

切断する 遅延時間

374

nS

t f

秋の時間

566

nS

E on

オン スイッチング 損失

20.0

mJ

E オフ

切断する 損失

12.0

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について o C

1.95

わかった F =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について o C

1.90

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

11.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

48

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

6.08

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

20.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

52

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

11.4

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

23.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

54

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

13.1

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

モジュールリードレジスタ nce、ターミナルからチップ

4.00 2.00

mΩ

R thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT -インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用 接合 -オー -事例 (perIGBT -ブレーキ )

结-ケース（ダイオードごと） ブレーキ

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

総量

R thCH

事例 -オー -熱シンク (perIGBT -インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 事例 -オー -熱シンク (perIGBT -ブレーキ )

ケース-ヒートシンク（ダイオードごと） ブレーキ ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

総量

M

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g