概要
IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。
主な特徴
典型的な用途
絶対値 最大の レーティング T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD400HFU120C2S |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
私 C |
コレクタ電流 @ T C=25℃ @ T C=80℃ |
660 400 |
A |
私 Cm (1) |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
800 |
A |
私 F |
ダイオード 連続前流 |
400 |
A |
私 Fm (1) |
ダイオード 最大前向き回転 賃貸 |
800 |
A |
PD |
最大電源 消耗 @ T j = 150℃ |
2660 |
W |
T SC |
短回路 耐える時間 @ T j =125℃ |
10 |
μs |
T j |
交差点最大温度 |
150 |
℃ |
T STG |
保管温度範囲 |
-40から+125 |
℃ |
V ISO |
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
2500 |
V |
固定トルク |
電力端末スクリュー:M6 |
2.5から 5.0 |
N.M<br> |
設置方法 スクリュー:M6 |
平均的な 6.0 |
N.M<br> |
電気 特徴 の IGBT T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V (BR )CES |
収集-発信 突入電圧 |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
私 CES |
収集家 切断 —オフ 現在の |
V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
私 総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在の |
V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
特徴について
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V 遺伝子組み換え (th) |
ゲート発信者の限界値 電圧 |
私 C=4.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
私 C=400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25℃ |
|
3.10 |
3.60 |
V |
私 C=400A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125℃ |
|
3.45 |
|
変形する特性
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=400A, バー G=2.2Ω,V 遺伝子組み換え =±15 V, T j =25℃ |
|
680 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
142 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
638 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
99 |
|
nS |
|
Eオン |
オン 切り替え 損失 |
|
19.0 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
32.5 |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=400A, バー G=2.2Ω,V 遺伝子組み換え =±15 V, T j = 125℃ |
|
690 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
146 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
669 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
108 |
|
nS |
|
Eオン |
オン 切り替え 損失 |
|
26.1 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
36.7 |
|
mJ |
|
Cies |
入力容量 |
V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V |
|
33.7 |
|
ロープ |
Cオーエス |
輸出容量 |
|
2.99 |
|
ロープ |
|
Cres |
逆転移転 容量 |
|
1.21 |
|
ロープ |
|
|
私 SC |
SC データ |
T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =25℃, V CC =600V V 単数 ≤1200V |
|
2600 |
|
A |
バー ゲント |
内部ゲート抵抗 タンス |
|
|
0.5 |
|
ω |
LCE |
流れる誘導力 |
|
|
|
18 |
nH |
バー CC ’+ロープ ’ |
モジュール鉛抵抗 これ、 ターミナルからチップへ |
T C=25℃ |
|
0.32 |
|
分 ω |
電気 特徴 の ダイオード T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 電圧 |
私 F =400A |
T j =25℃ |
|
1.95 |
2.35 |
V |
T j = 125℃ |
|
1.85 |
|
||||
Qバー |
回収された電荷 |
私 F =400A, V バー =600 V, di/dt=-2850A/μs V 遺伝子組み換え =- 15V |
T j =25℃ |
|
24.1 |
|
微分 |
T j = 125℃ |
|
44.3 |
|
||||
私 ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
T j =25℃ |
|
220 |
|
A |
|
T j = 125℃ |
|
295 |
|
||||
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
T j =25℃ |
|
13.9 |
|
mJ |
|
T j = 125℃ |
|
24.8 |
|
||||
熱特性 （％）
シンボル |
仕様 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
バー θ JC さん |
ケース対ケース (IGごとに) 国内外 |
|
0.047 |
総量 |
バー θ JC さん |
交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
0.096 |
総量 |
バー θ CS |
ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました) |
0.035 |
|
総量 |
G |
重量（ モジュール |
350 |
|
g |
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