GD200HFX120C2S,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

297

200

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

937

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

バリュー

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.75

2.20

V

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.00

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.05

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =5.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

18.6

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.52

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

1.40

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

120

nS

t r

昇る時間

26

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

313

nS

t f

秋の時間

88

nS

E on

オン スイッチング

損失

8.96

mJ

E オフ

切断する

損失

10.7

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

129

nS

t r

昇る時間

30

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

391

nS

t f

秋の時間

157

nS

E on

オン スイッチング

損失

15.8

mJ

E オフ

切断する

損失

16.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

129

nS

t r

昇る時間

34

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

411

nS

t f

秋の時間

175

nS

E on

オン スイッチング

損失

17.5

mJ

E オフ

切断する

損失

18.1

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

720

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.75

2.15

V

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

18.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

239

A

E レス

逆転回復 エネルギー

8.08

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について o C

33.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

250

A

E レス

逆転回復 エネルギー

14.5

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について o C

38.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

259

A

E レス

逆転回復 エネルギー

15.9

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

15

nH

R CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.25

mΩ

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.160

0.206

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.036

0.046

0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g