GD200HFX120C2S,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

937

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

バリュー

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.00

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.05

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=5.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

18.6

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.52

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

1.40

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

120

nS

t バー

昇る時間

26

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

313

nS

t f

秋の時間

88

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

8.96

mJ

Eオフ

切断する

損失

10.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

129

nS

t バー

昇る時間

30

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

391

nS

t f

秋の時間

157

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

15.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

16.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

129

nS

t バー

昇る時間

34

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

411

nS

t f

秋の時間

175

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

17.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

18.1

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

720

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

18.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

239

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

8.08

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

33.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

250

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

14.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150o C

38.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

259

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

15.9

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

15

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.25

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.160

0.206

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.036

0.046

0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g