GD200HFF120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C

@ T C =85主 C

294

200

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

P D

最大電源 消耗 @ T =175主 C

1056

W

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

こ F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

主 C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

主 C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.90

2.35

V

こ C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j = 125主 C

2.40

こ C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

2.55

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =5.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

5.2

6.0

6.8

V

こ CES

収集家 切断 -オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

1.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

100

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.75

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.58

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

1.55

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, バー G =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25主 C

374

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

326

nS

t f

秋の時間

204

nS

E を

オン スイッチング

損失

13.8

mJ

E オフ

切断する

損失

10.4

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, バー G =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125主 C

419

nS

t バー

昇る時間

63

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

383

nS

t f

秋の時間

218

nS

E を

オン スイッチング

損失

20.8

mJ

E オフ

切断する

損失

11.9

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, バー G =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150主 C

419

nS

t バー

昇る時間

65

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

222

nS

E を

オン スイッチング

損失

22.9

mJ

E オフ

切断する

損失

11.9

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.90

2.35

V

こ F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125主 C

1.90

こ F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150主 C

1.90

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25主 C

10.2

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

90

A

E レス

逆転回復 エネルギー

3.40

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125主 C

26.2

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

132

A

E レス

逆転回復 エネルギー

9.75

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150主 C

30.4

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

142

A

E レス

逆転回復 エネルギー

11.3

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

15

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.25

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.142

0.202

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.034

0.048

0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g