GD200HFF120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T =175o C

1056

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C

2.40

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.55

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=5.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

100

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.75

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.58

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

1.55

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

374

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

326

nS

t f

秋の時間

204

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

13.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

10.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

419

nS

t バー

昇る時間

63

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

383

nS

t f

秋の時間

218

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

20.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

11.9

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

419

nS

t バー

昇る時間

65

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

222

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

22.9

mJ

Eオフ

切断する

損失

11.9

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.90

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

10.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

90

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

3.40

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

26.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

132

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

9.75

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

30.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

142

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

11.3

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

15

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.25

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.142

0.202

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.034

0.048

0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g