IGBTモジュール GD820HTA75P6H Starpower

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

IC

コレクタ電流 @ T F =90o C

450

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1640

A

PD

最大電力損失 する @ T F =75o C T j =175o C

751

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1640

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.10

1.35

V

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

1.15

IC=450A V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.15

IC=820A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.30

IC=820A、V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.50

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=12.9mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

ω

Cies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.51

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.32

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =400V、I C =450A V 遺伝子組み換え =-15...+15V

4.77

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, L秒 =24nH,

T j =25o C

315

nS

t バー

昇る時間

61

nS

t 消して

切断する 遅延時間

729

nS

t f

秋の時間

70

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

12.4

mJ

Eオフ

切断する 損失

18.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, L秒 =24nH,

T j =150o C

338

nS

t バー

昇る時間

74

nS

t 消して

切断する 遅延時間

826

nS

t f

秋の時間

151

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

20.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

25.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, L秒 =24nH,

T j =175o C

343

nS

t バー

昇る時間

77

nS

t 消して

切断する 遅延時間

846

nS

t f

秋の時間

171

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

25.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

27.3

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =25o C,V CC =400V, V 単数 ≤750V

4500

A

t P≤3μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =175o C,V CC =400V, V 単数 ≤750V

3300

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.35

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=7760A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =24nH ,T j =25o C

10.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

287

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

4.83

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=6300A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =24nH ,T j =150o C

25.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

341

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

9.32

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=5990A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =24nH ,T j =175o C

30.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

354

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

10.6

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

8

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dM 3/分 ,T F =75o C

64

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

T ベースプレート <40o C

T ベースプレート 40o C

（相対圧力）

2.5 2.0

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=10.0 dM 3/分 ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

総量

分

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M<br>

G

重量 の モジュール

750

g