ホームページ / 製品 / IGBTモジュール / IGBTモジュール 1200V
主要パラメータ:
Vces = 1200V
1200V 900A、VCE(sat) = 1.50V(25℃時)
IC = 900A
ICRM = 1800A
主要な特徴:
銅基板
強化アルミナ基板
高温循環能力
典型的な用途:
モータードライブ
充電機器
ソーラー発電
電気自動車

| シンボル | 試験条件 | 価値 | ユニット |
| V CES | Tj=25°C | 1200 | V |
| わかった C DC | - | 900 | A |
| わかった C | TC=80°C ,Tjmax=175°C | 900 | A |
| わかった CRM | tp=1ms | 1800 | A |
| V 総エネルギー | -- | ±20 | V |
IGBT、電気的パラメータ
| シンボル | 試験条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
| VCEsat | IC=900A ,VGE=15V ,Tj=25 ° C | -- | 1.5 | -- | V | |
| IC=900A ,VGE=15V ,Tj=150 ° C | -- | 1.8 | -- | |||
| IC=900A ,VGE=15V ,Tj=175 ° C | -- | 1.8 | -- | |||
| VGEth | IC=15mA ,VGE = VCE ,Tj=25°C | 5.4 | 6 | 6.6 | V | |
| ICES | VCE = 1200V ,VGE=0V ,Tj=25°C | -- | -- | 1 | mA | |
| ゲノム | VCE = 0V ,VGE = 20V ,Tj=25°C | -- | -- | 500 | nA | |
| 司令部 | VGE = −15V~+15V | -- | 8.1 | -- | µC | |
| RGint について | Tj=25°C | -- | 0.9 | -- | ω | |
| サイエス | f=100kHz ,VCE = 25V ,VGE=0V ,Tj=25°C | -- | 169 | -- | ロープ | |
| クレス | -- | 0.28 | -- | |||
| オン (オン) | Tj=25°C | -- | 340 | -- | nS | |









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