Breve introduzione 
 Modulo tiristore per saldatura   ,MTC182 ,182 A, Raffreddamento ad aria   ,prodotto da TECHSEM. 
 
| VDRM, VRRM  | Tipo e contorno  | 
| 600V  800V  1000V  1200V  1400V  1600V  1800V  | MTC182-06-229H3/229H3B  MTC182-08-229H3/229H3B  MTC182-10-229H3/229H3B  MTC182-12-229H3/229H3B  MTC182-14-229H3/229H3B  MTC182-16-229H3/229H3B  MTC182-18-229H3/229H3B  | 
 
Caratteristiche :
- Base di montaggio isolata 3000V~ 
- 
Tecnologia di giunto saldato con    maggiore capacità di cicli di potenza   
- Risparmio di spazio e peso 
Applicazioni tipiche :
- Motori a corrente alternata 
- Vari rettificatori 
- Alimentazione DC per inverter PWM 
 
|   Il simbolo  |   Caratteristica  |   Condizioni di prova  | Tj( ℃ ) | Valore    |   Unità  | 
| Min    | TIPO  | Max    | 
| IT(AV)  | Corrente media in stato di accensione  | 180° onda sinusoidale mezza 50Hz Raffreddato da un lato, Tc=85   ℃  | 125 |   |   | 182 | A  | 
| IT(RMS)  | Corrente di stato RMS    | 125 |   |   | 286 | A  | 
| Io   DRM Io   RRM  | Corrente di picco ripetitiva  | a VDRM a VRRM  | 125 |   |   | 40 | mA  | 
| ITSM  | Corrente di sovratensione in stato di accensione  | onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM    |   125 |   |   | 4.0 | kA    | 
| Io   2t    | I2t per coordinazione fusibile  |   |   | 80 | A 2s*10 3 | 
| VTO  | Voltaggio di soglia  |   |   125 |   |   | 0.83 | V    | 
| r T    | Resistenza di pendenza in stato di accensione  |   |   | 1.30 | mΩ  | 
| V   TM  | Tensione di picco in stato di accensione  | ITM=550A  | 25 |   |   | 1.80 | V    | 
| dv/dt  | Tasso critico di aumento della tensione in stato di off  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 1000 | V/μs  | 
| di/dt  | Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento  | Gate source 1.5A    tr ≤0.5μs Ripetitivo    | 125 |   |   | 200 | A/μs  | 
| IGT  | Corrente di attivazione del gate  |     VA= 12V, IA= 1A  |     25 | 30 |   | 200 | mA  | 
| Vgt  | Tensione di attivazione del gate  | 0.6 |   | 2.5 | V    | 
| IH  | Corrente di mantenimento  | 10 |   | 250 | mA  | 
| IL  | Corrente di aggancio  |   |   | 1000 | mA  | 
| VGD  | Tensione di gate non attivata  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 0.2 | V    | 
| Rth(j-c)  | Resistenza termica Giunzione a custodia  | Raffreddato da un lato per chip  |   |   |   | 0.16 | ℃  /W | 
| Rth(c-h)  | Resistenza termica case a dissipatore  | Raffreddato da un lato per chip  |   |   |   | 0.08 | ℃  /W | 
| VISO  | Tensione di isolamento  | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)    |   | 3000 |   |   | V    | 
|   FM  | Coppia di collegamento terminale (M6)  |   |   | 2.5 |   | 4.0 | N·m  | 
| Coppia di montaggio (M6)  |   |   | 4.5 |   | 6.0 | N·m  | 
| Tvj  | Temperatura di giunzione  |   |   | -40 |   | 125 | ℃  | 
| TSTG  | Temperatura di immagazzinamento  |   |   | -40 |   | 125 | ℃  | 
| Wt  | Peso  |   |   |   | 165 |   | g  | 
| Outline  | 229H3 、229H3B    |