Breve introduzione
Moduli diodo a recupero rapido , MZ x25 0,Raffreddamento ad aria ,prodotto da TECHSEM.
VRRM |
Tipo e contorno |
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600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
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MZx250-06-415F3
MZx250-08-415F3
MZx250-10-415F3
MZx250-12-415F3
MZx250-14-415F3
MZx250-16-415F3
MZx250-18-415F3
MZ250-18-415F3G
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MZx sta per qualsiasi tipo di MZC, MZA, MZK
Caratteristiche ：
- Base di montaggio isolata 3000V~
-
Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
- Risparmio di spazio e peso
Applicazioni tipiche ：
- Inverter
- Calore induttivo
- Chopper
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Il simbolo
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Caratteristica
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Condizioni di prova
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Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità
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Min |
TIPO |
Max |
IF(AV) |
Corrente media diretta |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz
Raffreddato da un solo lato, TC=85 ℃
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140
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250 |
A |
IF (RMS) |
Corrente diretta RMS |
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392 |
A |
IRRM |
Corrente di picco ripetitiva |
a VRRM |
140 |
|
|
70 |
mA |
IFSM |
Corrente di picco in avanti |
10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM |
140
|
|
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6.2 |
kA |
Io 2t |
I2t per coordinazione fusibile |
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192 |
103A 2s |
VFO |
Voltaggio di soglia |
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140
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1.08 |
V |
rF |
Resistenza di pendenza in avanti |
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|
0.35 |
m |
VFM |
Tensione di picco in avanti |
IFM=750A |
25 |
|
|
1.55 |
V |
trr |
Tempo di recupero inverso |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V |
140 |
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4 |
|
μs |
25 |
|
3 |
|
μs |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddato da un lato per chip |
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0.150 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
Raffreddato da un lato per chip |
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0.040 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
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V |
|
FM
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Coppia di collegamento terminale (M10) |
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|
10.0 |
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12.0 |
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
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4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Tvj |
Temperatura di giunzione |
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|
-40 |
|
140 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
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1260 |
|
g |
Outline |
415F3 |
EN
