GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=100o C

2400

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

4800

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

15.8

kw

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

2400

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

4800

A

IFSM

Corrente di Surrogazione in Avanti V Barra =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

18.65 15.25

kA

I2t

I2valore t,V Barra =0V,T p =10m s,T j =25o CI2valore t,V Barra =0V,T p = 10 ms ,t j =150o C

1739

1162

kA2s

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=2400A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=2400A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=2400A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=96.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

0.6

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

285

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

7.13

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

23.5

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=2400A, Barra G=0.82Ω, LS =32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =25o C

609

nS

t barra

Tempo di risalita

232

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1676

nS

t f

Tempo di caduta

192

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

784

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

785

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=2400A, Barra G=0.82Ω, LS =32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =125o C

732

nS

t barra

Tempo di risalita

280

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

2171

nS

t f

Tempo di caduta

243

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

1350

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

1083

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=2400A, Barra G=0.82Ω, LS =32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =150o C

772

nS

t barra

Tempo di risalita

298

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

2294

nS

t f

Tempo di caduta

298

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

1533

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

1126

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

10.5

kA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =2400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =2400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =2400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =2400A,

-di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, LS =32nH ,T j =25o C

243

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1656

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

274

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =2400A,

-di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, LS =32nH ,T j =125o C

425

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1692

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

438

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =2400A,

-di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, LS =32nH ,T j =150o C

534

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1809

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

563

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

6.0

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.10

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

9.5 15.8

K/kW

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

6.4 10.7 4.0

K/kW

d Creep

Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale

32.2 32.2

mm

d Chiaro

Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale

19.1 19.1

mm

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

2060

g