Breve introduzione 
 Modulo tiristore per saldatura   ,M FC70 ,70A, Raffreddamento ad aria   ,prodotto da TECHSEM. 
 
| VDSM,VRSM    | VDRM, VRRM  | Tipo e contorno  | 
| 900V  | 800V  | MFC70-08-224H3  | 
| 1100V  | 1000V  | MFC70-10-224H3  | 
| 1300V  | 1200V  | MFC70-12-224H3  | 
| 1500V  | 1400V  | MFC70-14-224H3  | 
| di potenza superiore a 600 V  | 1600V  | MFC70-16-224H3  | 
| 1900V  | 1800V  | MFC70-18-224H3  | 
Caratteristiche :
- Base di montaggio isolata 3000V~ 
- 
Tecnologia di giunto saldato con    maggiore capacità di cicli di potenza   
- Risparmio di spazio e peso 
 
Applicazioni tipiche :
- Motori a corrente alternata 
- Vari rettificatori 
- Alimentazione DC per inverter PWM 
 
|   Il simbolo  |   Caratteristica  |   Condizioni di prova  | Tj( ℃ ) | Valore    |   Unità  | 
| Min    | TIPO  | Max    | 
| IT(AV)  | Corrente media in stato di accensione  | 180° mezza onda sinusoidale 50Hz  Raffreddato da un solo lato, Tc =85   ℃  | 125 |   |   | 70 | A  | 
| IT(RMS)  | Corrente di stato RMS    | 125 |   |   | 110 | A  | 
| Idrm Irrm  | Corrente di picco ripetitiva  | a VDRM a VRRM  | 125 |   |   | 15 | mA  | 
| ITSM  | Corrente di sovratensione in stato di accensione  | onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM    | 125 |   |   | 1.8 | kA    | 
| I2t  | I2t per coordinazione fusibile  |   |   | 16.2 | A 2s* 10 3 | 
| VTO  | Voltaggio di soglia  |   |   125 |   |   | 0.75 | V    | 
| rT  | Resistenza di pendenza in stato di accensione  |   |   | 3.64 | m ω  | 
| VTM  | Tensione di picco in stato di accensione  | ITM=210A  | 25 |   |   | 1.80 | V    | 
| dv/dt  | Tasso critico di aumento della tensione in stato di off  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 1000 | V/ μ s  | 
|   di/dt  | Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento  | Gate source 1.5A    tr ≤ 0.5μ s Ripetitivo  |   125 |   |   |   200 |   A/ μ s  | 
| IGT  | Corrente di attivazione del gate  |   VA= 12V, IA= 1A  |   25 | 30 |   | 200 | mA  | 
| Vgt  | Tensione di attivazione del gate  | 0.6 |   | 2.5 | V    | 
| IH  | Corrente di mantenimento  | 10 |   | 250 | mA  | 
| VGD  | Tensione di gate non attivata  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 0.2 | V    | 
| Rth(j-c)  | Resistenza termica Giunzione a custodia  | Raffreddato da un lato per chip  |   |   |   | 0.35 | ℃ /W | 
| Rth(c-h)  | Resistenza termica case a dissipatore  | Raffreddato da un lato per chip  |   |   |   | 0.15 | ℃ /W | 
| VISO  | Tensione di isolamento  | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)    |   | 3000 |   |   | V    | 
| FM  | Coppia di collegamento termico (M5)  |   |   | 2.5 |   | 4.0 | N ·m  | 
| Coppia di montaggio (M6)  |   |   | 4.0 |   | 6.0 | N ·m  | 
| Tvj  | Temperatura di giunzione  |   |   | -40 |   | 125 | ℃  | 
| TSTG  | Temperatura di immagazzinamento  |   |   | -40 |   | 125 | ℃  | 
| Wt  | Peso  |   |   |   | 100 |   | g  | 
| Outline  | 224H3    |