Breve introduzione:
Moduli IGBT ad alta tensione, interruttore singolo prodotti da CRRC. 3300V 1200A.
Caratteristiche
- SPT+chip-set per perdite di commutazione ultra basse
- Basso VCE saturatore
- Basso potere di guida
- Piastra di base in AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza
- AlN per bassa resistenza termica
Tipico applicazione
- Fiumi di trazione
- Chopper DC
- Invertitori/convertitori a media tensione
- Sistema UPS a media tensione
- Sistema eolico
Valori massimi nominali
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
M in |
M ascia |
Unità |
Tensione tra collettore ed emittente |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
CC corrente del collettore |
Ic |
TC =80 °C |
|
1200 |
A |
Corrente di picco del collettore |
MIC |
tp = 1 ms,Tc = 80°C |
|
2400 |
A |
Tensione dell'emittente di porta |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
Dissipazione totale di potenza |
Ptot |
TC = 25°C, per interruttore ((IGBT) |
|
10500 |
W |
Corrente continua in avanti |
IF |
|
|
1200 |
A |
Corrente di picco in avanti |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
A |
Corrente di sovratensione |
IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, mezza onda sinusoidale
|
|
9000 |
A |
SOA di cortocircuito IGBT |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Tensione di isolamento |
Visol |
1 min, f = 50 Hz |
|
10200 |
V |
Temperatura di giunzione |
Tvj |
|
|
150 |
°C |
Temperatura di giunzione operativa |
Tvj ((op) |
|
-50 |
125 |
°C |
Temperatura della cassa |
TC |
|
-50 |
125 |
°C |
Temperatura di conservazione |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
|
Coppie di montaggio
|
M s |
Fuoco di base, viti M6 |
4 |
6 |
Nm
|
Mt1 |
Termini principali, viti M8, |
8 |
10 |
Mt2 |
Termini ausiliari, viti M6 |
2 |
3 |
Caratteristica IGBT
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
min |
tipizzazione |
max |
Unità |
Tensione di rottura del collettore (-emettitore) |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V
|
Tensione di saturazione collettore-emettitore |
VCE sat
|
C = 1200 A, VGE= 15 V
|
Tvj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
Corrente di taglio del collettore |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V
|
Tvj=25°C |
|
|
12 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
120 |
mA |
Corrente di perdita di portata |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C
|
-500 |
|
500 |
nA
|
Tensione di soglia del portale-emittente |
VGE (th) |
IC = 240mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
Importo della porta |
CdG |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
|
12.1 |
|
μC |
Capacità di ingresso |
- Cies |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
187 |
|
nF |
Capacità di uscita |
Coes |
|
11.57 |
|
nF |
Capacità di trasferimento inverso |
Cres |
|
2.22 |
|
nF |
Tempo di ritardo di accensione |
td (in)
|
VCC = 1800 V, IC = 1200A,
RG = 3.9Ω ,VGE =±15V
L σ = 280nH, carico induttivo
|
Tvj=25°C |
|
750 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
750 |
|
nS |
Tempo di risalita |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
470 |
|
nS |
Tempo di ritardo di spegnimento |
td (off) |
Tvj=25°C |
|
1600 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
nS |
Tempo di caduta |
tF |
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
1200 |
|
nS |
Perdita di commutazione all'accensione |
EON
|
Tvj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
Energia di perdita di commutazione allo spegnimento |
EOFF
|
Tvj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
Corrente di cortocircuito |
Isc
|
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, carico induttivo |
|
5000
|
|
A
|
Caratteristica del diodo
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
min |
tipizzazione |
max |
Unità |
Voltaggio di avanzamento |
VF
|
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
Corrente di recupero inversa |
- Non lo so.
|
VCC= 1800 V, IC= 1200 A,
RG=2,3Ω,VGE=±15V, L σ = 280nH, carico induttivo
|
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
Importo recuperato |
Qrr
|
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
μC |
Tempo di recupero inverso |
trr
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
nS |
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
nS |
Energia di recupero inverso |
Erec
|
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |
EN
