Breve introduzione
Tiristor a spegnimento rapido Mo divali ,MK ((H) x250 MK250 ,25 0A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .
VRRM,VDRM |
Tipo e contorno |
600V |
MKx250-06-415F3 |
MHx250-06-415F3 |
800V |
MKx250-08-415F3 |
MHx250-08-415F3 |
1000V |
MKx250-10-415F3 |
MHx250-10-415F3 |
1200V |
MKx250-12-415F3 |
MHx250-12-415F3 |
1400V |
MKx250-14-415F3 |
MHx250-14-415F3 |
1600V |
MKx250-16-415F3 |
MHx250-16-415F3 |
1800V |
MKx250-18-415F3 |
MHx250-18-415F3 |
1800V |
MK250-18-415F3G |
|
MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK
MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK
Caratteristiche ：
- Base di montaggio isolata 2500V~
-
Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
- Risparmio di spazio e peso
Applicazioni tipiche
- Inverter
- Calore induttivo
- Chopper
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Il simbolo
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Caratteristica
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Condizioni di prova
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Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità
|
Min |
TIPO |
Max |
IT(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un lato,Tc=85 ℃ |
125
|
|
|
250 |
A |
IT(RMS) |
Corrente di stato RMS |
|
|
392 |
A |
Idrm Irrm |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM a VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM |
125
|
|
|
5.60 |
kA |
Io 2t |
I2t per coordinazione fusibile |
|
|
157 |
103A 2s |
VTO |
Voltaggio di soglia |
|
125
|
|
|
1.30 |
V |
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.38 |
m |
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM=750A |
25 |
|
|
2.69 |
V |
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
Gate source 1.5A
tr ≤0.5μs Ripetitivo
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Tempo di spegnimento commutato da circuito |
ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Corrente di mantenimento |
20 |
|
200 |
mA |
IL |
Corrente di aggancio |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.100 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.040 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
FM
|
Coppia di collegamento terminale (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
1260 |
|
g |
Outline |
415F3 |
EN
