Moduli di tiristore a spegnimento rapido

MK(H)x250 MK250,Moduli di Tiristori a Spegnimento Veloce, Raffreddamento ad Aria

250A,600V~1800V, 415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H) x250 MK250

Appurtenance:

Brochure del prodotto:SCARICA

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Tiristor a spegnimento rapido Mo divali ,MK ((H) x250 MK250 ,25 0A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
600V	MKx250-06-415F3	MHx250-06-415F3
800V	MKx250-08-415F3	MHx250-08-415F3
1000V	MKx250-10-415F3	MHx250-10-415F3
1200V	MKx250-12-415F3	MHx250-12-415F3
1400V	MKx250-14-415F3	MHx250-14-415F3
1600V	MKx250-16-415F3	MHx250-16-415F3
1800V	MKx250-18-415F3	MHx250-18-415F3
1800V	MK250-18-415F3G

MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK

MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK

Caratteristiche ：

Base di montaggio isolata 2500V~
Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Inverter
Calore induttivo
Chopper

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un lato,Tc=85 ℃	125			250	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			392	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			80	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM	125			5.60	kA
Io ²t	I2t per coordinazione fusibile	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM	125			157	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			1.30	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.38	m
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=750A	25			2.69	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			20		200	mA
IL	Corrente di aggancio					1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.100	℃ /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.040	℃ /W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Coppia di collegamento terminale (M10)			10.0		12.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				1260		g
Outline	415F3