GD100PFX170C6SG, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

161

100

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

592

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1800

V

Io O

Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale

100

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T j = 25o C @ T j = 150 o C

1600

1400

A

Io 2t

Io 2valore t, t p =10ms @ T j = 25 o C @ T j = 150 o C

13000

9800

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima della giunzione (inverter) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)

175

150

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =100A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =100A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =100A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

7.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.29

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, L S =46 nH , T j = 25 o C

257

nS

t r

Tempo di risalita

47

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

377

nS

t f

Tempo di caduta

382

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

24.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

16.7

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, L S =46nH, T j = 125 o C

284

nS

t r

Tempo di risalita

56

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

444

nS

t f

Tempo di caduta

555

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

34.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

23.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, L S =46nH, T j = 150 o C

286

nS

t r

Tempo di risalita

60

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

465

nS

t f

Tempo di caduta

636

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

38.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

26.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

400

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =100A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Io F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V GE = 15V L S =46 nH , T j = 25 o C

13.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

107

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

8.79

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V GE = 15V L S =46nH, T j = 125 o C

25.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

111

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

18.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V GE = 15V L S =46nH, T j = 150 o C

28.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

112

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.4

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io C =100A, T j = 150 o C

0.85

V

Io R

Corrente inversa

T j = 150 o C,V R =1800V

3.0

mA

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore )

0.253 0.424 0.289

C/W

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) Cassa-sink (per Modulo)

0.105 0.176 0.120 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g