H100ZPU, Diodo Rettificatore

Io _T(AV)

3300A

V _RRM

8000V 8500V

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC= 100 ℃

150

3300

A

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM tp= 10ms

150

300

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semplificata. VR=0.6VRRM

150

50

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

12500

10³A ²s

VFO

Voltaggio di soglia

150

0.96

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.24

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=5000A, F= 100kN

25

2.10

V

Qrr

Tassa di recupero

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

150

23500

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° sinusoidale. raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 100kN

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.0015

FM

Forza di montaggio

98

113

kN

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

150

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

℃

Wt

Peso

2500

g

Outline

ZT100dT