GD150HFU120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

S C

Corrente del collettore @ T C =25o C @ T C =85o C

241

150

A

S CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T vj =150o C

1262

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

S F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

S FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

S C =150A,V GE = 15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

S C =150A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

S C =3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

S CES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

S GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.50

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.60

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

1.83

μC

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, Barra G =6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

74

nS

t barra

Tempo di risalita

92

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

401

nS

t f

Tempo di caduta

31

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

19.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

3.09

mJ

t d (su )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, Barra G =6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

61

nS

t barra

Tempo di risalita

95

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

444

nS

t f

Tempo di caduta

47

nS

E su

Accendere Commutazione Perdita

22.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

3.99

mJ

S SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

S F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

S F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=1480A⁄μs,V GE = 15 V, LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

91

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

4.01

mJ

Q barra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=1560A⁄μs,V GE = 15 V, LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

S RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

111

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

6.65

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

30

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.35

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.099 0.259

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.028 0.072 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g