Breve introduzione 
Modulo IGBT   , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A. 
Caratteristiche 
- capacità di cortocircuito di 10 μs 
- Basse perdite di cambio 
- Robusto con prestazioni ultra veloci 
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo 
- Cassa a bassa induttanza 
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido 
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC 
Applicazioni tipiche 
- Forniture di alimentazione in modalità di commutazione 
- Calore induttivo 
- Saldatrici elettroniche 
Assoluto  Massimo  Classificazioni  T   C   = 25 ℃  a meno che  altrimenti  notato 
 
| Il simbolo  | Descrizione  | GD400HFU120C2S  | Unità    | 
| V   CES  | Tensione tra collettore ed emittente  | 1200 | V    | 
| V   GES  | Tensione del portatore-emittente  | ± 20 | V    | 
| Io   C    | Corrente del collettore @ T C   = 25℃  @ T C   = 80 ℃  | 660 400 | A  | 
| Io   CM (1)  | Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms  | 800 | A  | 
| Io   F  | Diodo di corrente continua in avanti  | 400 | A  | 
| Io   FM (1)  | Diodo Cur massima in avanti affitto  | 800 | A  | 
| P P  | Dissipation di potenza massima @ T j =  150℃  | 2660 | W  | 
| T   SC  | Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃  | 10 | μs  | 
| T   j  | Temperatura massima di giunzione  | 150 | ℃  | 
| T   STG  | Intervallo di temperatura di conservazione  | -40 a +125  | ℃  | 
| V   ISO    | Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min  | 2500 | V    | 
| Torsione di montaggio  | Filtro di alimentazione:M6  | 2,5 a  5.0 | N.M    | 
| Montaggio    Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati  | 3,0 a  6.0 | N.M    | 
Elettrico  Caratteristiche  di  IGBT    T   C   = 25 ℃  a meno che  altrimenti  notato 
Non caratteristiche 
 
| Il simbolo  | Parametri  | Condizioni di prova  | Min.  | Tipo.  | Max.  | Unità    | 
| V   (BR )CES  | Collettore-emittente  Tensione di Rottura  | T   j = 25 ℃  | 1200 |   |   | V    | 
| Io   CES  | Collettore  Taglio -OFF  Corrente  | V   CE   = V   CES ,V   GE =0V,  T   j = 25 ℃  |   |   | 5.0 | mA  | 
| Io   GES  | Perforazione del portello  Corrente  | V   GE = V   GES ,V   CE   =0V,  T   j = 25 ℃  |   |   | 400 | nA  | 
Sulle caratteristiche 
 
| Il simbolo  | Parametri  | Condizioni di prova  | Min.  | Tipo.  | Max.  | Unità    | 
| V   GE (th   ) | Limita di emissione della porta  Tensione    | Io   C   = 4,0 mA ,V   CE   = V   GE , T   j = 25 ℃  | 4.4 | 4.9 | 6.0 | V    | 
|     V   CE (sat)  |   Collettore all'emittente  Tensione di saturazione  | Io   C   = 400 A,V GE = 15V,  T   j = 25 ℃  |   | 3.10 | 3.60 |     V    | 
| Io   C   = 400 A,V GE = 15V,  T   j =  125℃  |   | 3.45 |   | 
Caratteristiche di cambio 
 
| Il simbolo  | Parametri  | Condizioni di prova  | Min.  | Tipo.  | Max.  | Unità    | 
| t   p (oN ) | Tempo di ritardo di accensione  |       V   CC = 600V,I C   = 400A, R G =2.2Ω,V GE = ± 15 V, T   j = 25 ℃  |   | 680 |   | nS  | 
| t   r  | Tempo di risalita  |   | 142 |   | nS  | 
| t   p (oFF ) | Disattivamento  Tempo di ritardo  |   | 638 |   | nS  | 
| t   f  | Tempo di caduta  |   | 99 |   | nS  | 
| E oN  | Accendere il comando  Perdita  |   | 19.0 |   | mJ  | 
| E oFF  | Sconto di accensione  Perdita  |   | 32.5 |   | mJ  | 
| t   p (oN ) | Tempo di ritardo di accensione  |       V   CC = 600V,I C   = 400A, R G =2.2Ω,V GE = ± 15 V,  T   j =  125℃  |   | 690 |   | nS  | 
| t   r  | Tempo di risalita  |   | 146 |   | nS  | 
| t   p (oFF ) | Disattivamento  Tempo di ritardo  |   | 669 |   | nS  | 
| t   f  | Tempo di caduta  |   | 108 |   | nS  | 
| E oN  | Accendere il comando  Perdita  |   | 26.1 |   | mJ  | 
| E oFF  | Sconto di accensione  Perdita  |   | 36.7 |   | mJ  | 
| C   ies  | Capacità di ingresso  |   V   CE   = 30V, f=1MHz,  V   GE =0V  |   | 33.7 |   | nF  | 
| C   - Non  | Capacità di uscita  |   | 2.99 |   | nF  | 
| C   res  | Trasferimento inverso  Capacità  |   | 1.21 |   | nF  | 
|   Io   SC  |   Dati SC  | T   P  ≤ 10 μs,V GE =15  V,  T   j = 25 ℃ , V   CC = 600V,  V   CEM ≤ 1200V  |   |   2600 |   |   A  | 
| R Gint  | Resis interna della porta - Sotto il mio nome.  |   |   | 0.5 |   | ω  | 
| L CE    | Induttanza di deflusso  |   |   |   | 18 | nH  | 
| R CC + EE  ’ | Modulo di resistenza al piombo c,  Terminal a chip  | T   C   = 25 ℃  |   | 0.32 |   | m ω  | 
Elettrico  Caratteristiche  di  Diodo  T   C   = 25 ℃  a meno che  altrimenti  notato 
 
| Il simbolo  | Parametri  | Condizioni di prova  | Min.  | Tipo.  | Max.  | Unità    | 
| V   F  | Diodo di avanzamento  Tensione    | Io   F = 400A  | T   j = 25 ℃  |   | 1.95 | 2.35 | V    | 
| T   j =  125℃  |   | 1.85 |   | 
| Q r  | Importo recuperato  |   Io   F = 400A,  V   R = 600  V,  di/dt=-2850A/μs,  V   GE - Sì.  15V    | T   j = 25 ℃  |   | 24.1 |   | μC  | 
| T   j =  125℃  |   | 44.3 |   | 
| Io   RM  | Verso il picco inverso  Corrente di recupero  | T   j = 25 ℃  |   | 220 |   | A  | 
| T   j =  125℃  |   | 295 |   | 
| E ricerca  | Ritorno al recupero  Energia    | T   j = 25 ℃  |   | 13.9 |   | mJ  | 
| T   j =  125℃  |   | 24.8 |   | 
Caratteristica termica ics 
 
| Il simbolo  | Parametri  | Tipo.  | Max.  | Unità    | 
| R θ JC  | Connessione a caso (per IG) BT)  |   | 0.047 | C/W  | 
| R θ JC  | Connessione con il caso (per D) Iodio)  |   | 0.096 | C/W  | 
| R θ CS  | La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)  | 0.035 |   | C/W  | 
| G  | Peso di  Modulo  | 350 |   | g  |