Modulo IGBT 1200V

GD150PIY120C6SN, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 150A, imballaggio: C6

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD150PIY120C6SN

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 150A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT-inverter

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	292 150	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	300	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	1111	W

DIOD-inverter

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	150	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	300	A

Diode-rettificatrice

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1600	V
Io O	Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale	150	A
Io FSM	Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T j =2 5o C @ T j = 150 o C	1600 1400	A
Io 2t	Io 2valore t, t p =10ms @ T j = 25 o C @ T j = 150 o C	13000 9800	A 2s

IGBT-freno

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	200 100	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	833	W

Diodo -freno

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	50	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	100	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura Massima del Giunzione (inverter, freno) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)	175 150	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT -inverter Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =150A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C =150A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.95
		Io C =150A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			2.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		15.5		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.44		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		1.17		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C		96		nS
t r	Tempo di risalita			30		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			255		nS
t f	Tempo di caduta			269		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			8.59		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			12.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C		117		nS
t r	Tempo di risalita			37		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			307		nS
t f	Tempo di caduta			371		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			13.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			16.8		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C		122		nS
t r	Tempo di risalita			38		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			315		nS
t f	Tempo di caduta			425		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			14.8		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			18.1		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		600		A

Diodo -inverter Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =150A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.85	2.25	V
		Io F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.90
		Io F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=4750A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C		8.62		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			177		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			5.68		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=3950A/μs,V GE = 15V T j = 125 o C		16.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			191		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			10.2		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=3750A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C		19.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			196		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			12.1		mJ

Diodo -raddrizzatore Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io C =150A, T j = 150 o C		1.00		V
Io R	Corrente inversa	T j = 150 o C,V R =1600V			3.0	mA

IGBT -freno Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C =100A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.95
		Io C =100A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			7.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		10.4		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.08		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C		170		nS
t r	Tempo di risalita			32		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			360		nS
t f	Tempo di caduta			86		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			5.90		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			6.05		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C		180		nS
t r	Tempo di risalita			42		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			470		nS
t f	Tempo di caduta			165		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			9.10		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			9.35		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C		181		nS
t r	Tempo di risalita			43		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			480		nS
t f	Tempo di caduta			186		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			10.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			10.5		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		400		A

Diodo -freno Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =50A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io F =50A,V GE =0V,T j = 125 o C		1.90
		Io F =50A,V GE =0V,T j = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =50A, -di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C		6.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			62		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			1.67		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =50A, -di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j = 125 o C		10.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			69		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			2.94		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =50A, -di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C		11.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			72		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			3.63		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		40		nH
R CC+EE R AA + CC ’	Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip		4.00 3.00		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore ) Giunti -to -Caso (perIGBT -freno ) Giunzione-Caso (per Diode-freno rompere)			0.135 0.300 0.238 0.180 0.472	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT -freno ) Caso-Dissipatore (per Dio de-freno) Cassa-sink (per Modulo)		0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009		C/W
M	Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.	3.0		6.0	N.M