GD150PIY120C6SN, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

292

150

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1111

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1600

V

Io O

Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale

150

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T j =2 5o C @ T j = 150 o C

1600

1400

A

Io 2t

Io 2valore t, t p =10ms @ T j = 25 o C @ T j = 150 o C

13000

9800

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

200

100

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

833

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

50

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

100

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura Massima del Giunzione (inverter, freno) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)

175

150

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =150A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =150A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.95

Io C =150A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

15.5

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.44

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

96

nS

t r

Tempo di risalita

30

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

255

nS

t f

Tempo di caduta

269

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

8.59

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

12.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

117

nS

t r

Tempo di risalita

37

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

307

nS

t f

Tempo di caduta

371

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

13.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

16.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

122

nS

t r

Tempo di risalita

38

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

315

nS

t f

Tempo di caduta

425

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

14.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

18.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =150A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.85

2.25

V

Io F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Io F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C

8.62

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

177

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

5.68

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE = 15V T j = 125 o C

16.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

191

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

10.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C

19.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

196

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

12.1

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io C =150A, T j = 150 o C

1.00

V

Io R

Corrente inversa

T j = 150 o C,V R =1600V

3.0

mA

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =100A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =100A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.95

Io C =100A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

7.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.29

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =100A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

170

nS

t r

Tempo di risalita

32

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

360

nS

t f

Tempo di caduta

86

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

5.90

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

6.05

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =100A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

180

nS

t r

Tempo di risalita

42

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

470

nS

t f

Tempo di caduta

165

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

9.10

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

9.35

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =100A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

181

nS

t r

Tempo di risalita

43

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

480

nS

t f

Tempo di caduta

186

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

10.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

10.5

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =50A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.85

2.30

V

Io F =50A,V GE =0V,T j = 125 o C

1.90

Io F =50A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C

6.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

62

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

1.67

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j = 125 o C

10.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

69

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

2.94

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C

11.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

72

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

3.63

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

40

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip

4.00 3.00

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore ) Giunti -a -Caso (perIGBT -freno )

Giunzione-Caso (per Diode-freno rompere)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

C/W

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -freno )

Caso-Dissipatore (per Dio de-freno) Cassa-sink (per Modulo)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.

3.0

6.0

N.M