GD720HTA120P6HT, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato renta

720

A

Io C

Corrente del collettore @ T F =65 o C

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1440

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C

1204

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

Io FN

Collettore Cu implementato renta

720

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1440

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.50

V

Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

1.80

Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.85

Io C =720A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.60

Io C =720A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

2.05

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

6.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.67

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

48.7

nF

C - Non

Capacità di uscita

1.55

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.26

nF

Q G

Importo della porta

V CE =800V,I C = 600A, V GE =-8... +15V

3.52

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj = 25 o C

208

nS

t r

Tempo di risalita

65

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

505

nS

t f

Tempo di caduta

104

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

77.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

62.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C

225

nS

t r

Tempo di risalita

75

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

567

nS

t f

Tempo di caduta

191

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

110

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

83.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C

226

nS

t r

Tempo di risalita

77

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

583

nS

t f

Tempo di caduta

203

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

118

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

85.9

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤4μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.95

V

Io F =600A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Io F =600A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.90

Io F =720A,V GE =0V,T vj =2 5o C

2.05

Io F =720A,V GE =0V,T vj = 175 o C

2.05

Q r

Importo recuperato

V R =800V,I F =600A,

-di⁄dt=8281A⁄μs, L S =24n H, V GE = 8V, T vj = 25 o C

44.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

346

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

16.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE = 8V, T vj = 150 o C

73.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

385

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

27.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE = 8V, T vj = 175 o C

80.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

392

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

30.7

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

8

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.75

mΩ

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

T piastra di base < 40 o C

T piastra di base 40o C

(pressione relativa)

2.5 2.0

bar

R thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g