Modulo IGBT 1200V

GD275MJS120L6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 275A, Confezione: L6

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD275MJS120L6S

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 275A. - Sì.

Caratteristiche

Basso VCE(sat) Tecnologia IGBT a trincea
VCE (sat) con positivo temperatura coefficiente
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Isolato piastra di rame utilizzata Si3 N4 Tecnologia AMB

Applicazioni tipiche

Energia solare

applicazione a 3 livelli

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

T1-T4 IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore C implementato - Renta	275	A
Io C	Corrente del collettore @ T C =100 o C	110	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	450	A

Diodo D1/D4

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io FN	Corrente inoltrata implementata ent	275	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	450	A

Diodo D2/D3

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io FN	Corrente inoltrata implementata ent	275	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	225	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	450	A

Diodo D5/D6

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io FN	Corrente inoltrata implementata ent	275	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	450	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	3200	V

T1-T4 IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =225A,V GE = 15V, T j = 25 o C		2.00	2.45	V
		Io C =225A,V GE = 15V, T j = 125 o C		2.70
		Io C =225A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.90
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.00 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.7		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		38.1		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		0.66		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		2.52		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 25 o C		154		nS
t r	Tempo di risalita			45		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			340		nS
t f	Tempo di caduta			76		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			13.4		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			8.08		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 125 o C		160		nS
t r	Tempo di risalita			49		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			388		nS
t f	Tempo di caduta			112		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			17.6		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			11.2		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,T j = 150 o C		163		nS
t r	Tempo di risalita			51		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			397		nS
t f	Tempo di caduta			114		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			18.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			12.0		mJ

D1/D4 Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.60	2.05	V
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.60
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.60
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =225A, -di/dt=5350A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,T j = 25 o C		20.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			250		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			6.84		mJ
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =225A, -di/dt=5080A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,T j = 125 o C		32.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			277		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			11.5		mJ
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =225A, - di/dt=4930A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,T j = 150 o C		39.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			288		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			14.0		mJ

D2/D3 Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =225A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.60	2.05	V
		Io F =225A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.60
		Io F =225A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.60

D5/D6 Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.60	2.05	V
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.60
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.60
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =225A, -di/dt=5050A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,T j = 25 o C		18.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			189		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			5.62		mJ
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,T j = 125 o C		34.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			250		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			11.4		mJ
Q r	Ricostruito Carica	V R = 600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,T j = 150 o C		38.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			265		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			13.2		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Dissipazione di Potenza				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		15		nH
R ilJC	Giunzione-Case (per T1 -T4 IGBT) Giunzione-Case (per D1/D4 D iodio) Giunzione-Case (per D2/D3 D iodio) Giunzione-Case (per D5/D6 D iodio)			0.070 0.122 0.156 0.122	C/W
R thCH	Case-Dissipatore (per T 1-T4 IGBT) Case-Dissipatore (per D1/D4 DIODE) Case-Dissipatore (per D2/D3 DIODE) Case-Dissipatore (per D5/D6 DIODE)		0.043 0.053 0.069 0.053		C/W
M	Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.	3.0		5.0	N.M
G	Peso di Modulo		250		g