GD600HFX120C2SAD_B20, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 600A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di rame isolata utilizzando la tecnologia HPS DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente Tensione transitorio del portatore-emettitore	±20 ±30	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	1096 600	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	3947	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Corrente continua in avanti del diodo ent	600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		2.05
		Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.15
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.25		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		64.7		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		1.88		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		5.38		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, L S =50 nH , V GE = ± 15V,T vj = 25 o C		314		nS
t r	Tempo di risalita			105		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			527		nS
t f	Tempo di caduta			151		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			63.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			53.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, L S =50 nH , V GE = ± 15V,T vj = 125 o C		350		nS
t r	Tempo di risalita			117		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			591		nS
t f	Tempo di caduta			315		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			96.5		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			72.2		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω, L S =50 nH , V GE = ± 15V,T vj = 150 o C		359		nS
t r	Tempo di risalita			120		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			604		nS
t f	Tempo di caduta			328		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			105		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			75.6		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =600A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.65	2.10	V
		Io F =600A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.65
		Io F =600A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.60
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =600A, -di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj = 25 o C		38.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			313		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			10.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =600A, -di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj = 125 o C		76.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			368		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			22.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =600A, -di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj = 150 o C		88.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			387		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			26.2		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.42		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.038 0.068	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.031 0.056 0.010		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		320		g