Moduli di tiristore a spegnimento rapido

MK(H)x300 MK300,Moduli di Tirostori a Spegnimento Rapido,Raffreddamento ad Acqua

300A,600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H) x300 MK300

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Tiristor a spegnimento rapido Mo divali ,MK(H) x 300 MK300 30 0A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
600V	MKx300-06-415F3	MHx300-06-415F3
800V	MKx300-08-415F3	MHx300-08-415F3
1000V	MKx300-10-415F3	MHx300-10-415F3
1200V	MKx300-12-415F3	MHx300-12-415F3
1400V	MKx300-14-415F3	MHx300-14-415F3
1600V	MKx300-16-415F3	MHx300-16-415F3
1800V	MKx300-18-415F3	MHx300-18-415F3
1800V	MK300-18-415F3G

MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK

MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK

Caratteristiche ：

Base di montaggio isolata 2500V~
Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Inverter
Calore induttivo
Chopper

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova		Tj( ℃ )	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova		Tj( ℃ )	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180。con una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm,	TC=85 ℃	125			300	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		TC=85 ℃	125			471	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM		125			80	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM		125			7.30	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM		125			266	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia			125			1.36	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione			125			0.38	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=900A		25			2.20	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM		125			800	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo		125			200	A/μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=300A, tp=4000μs,VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs		125	20		40	μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A		25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate				1.0		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento				20		200	mA
IL	Corrente di aggancio						1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM= 67%VDRM		125			0.2	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip					0.080	。C/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip					0.040	。C/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)			2500			V
FM	Coppia di collegamento terminale (M10)				10.0		12.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)				4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione				-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento				-40		125	℃
Wt	Peso					1260		g
Outline	415F3