GD450HFX120N6HY, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 450A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate in rame isolato con tecnologia AMB Si3N4

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	450	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =100 o C	300	A
Io CRM	Ripetitiva Pico Collettore Corrente tp limitata di T vjop	900	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =65 o C T vj = 175 o C	1208	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Pico ripetitivo volta inversa gE	1200	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	450	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	300	A
Io MF	Ripetitiva Pico In avanti Corrente tp limitata di T vjop	900	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione continua	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V
p Creep	Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale	7.3 7.3	mm
p Chiaro	Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale	7.3 4.0	mm

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.25	1.70	V
		Io C =300A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		1.35
		Io C =300A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.40
		Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.40
		Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		1.65
		Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.70
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.8	6.4	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.67		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		81.2		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.56		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.53		nF
Q G	Importo della porta	V CE = 600V,I C =450A, V GE =-8... +15V		5.31		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V, T vj = 25 o C		361		nS
t r	Tempo di risalita			63		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			729		nS
t f	Tempo di caduta			150		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			57.8		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			34.7		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C		406		nS
t r	Tempo di risalita			81		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			825		nS
t f	Tempo di caduta			235		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			80.6		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			45.9		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω, L S =20 nH ,V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C		420		nS
t r	Tempo di risalita			84		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			844		nS
t f	Tempo di caduta			241		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			88.9		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			47.5		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V G E = 15V,		1800		A
		T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.60		V
		Io F =300A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.50
		Io F =300A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.45
		Io F = 450 A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.80
		Io F = 450 A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.75
		Io F = 450 A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.70
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 450A, -di/dt=7460A/μs, V GE = 8V, L S =20 nH ,T vj = 25 o C		19.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			294		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			8.32		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 450A, -di/dt=5610A/μs, V GE = 8V, L S =20 nH ,T vj = 150 o C		49.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			308		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			14.1		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 450A, -di/dt=5250A/μs, V GE = 8V, L S =20 nH ,T vj = 175 o C		56.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			311		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			15.6		mJ

PTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R	Nominale Resistenza	T C =0 o C T C = 150 o C		1000 1573		ω ω
T Cr	Coefficiente di Temperatura nt			0.38		%/K
T S	Auto Riscaldamento	T C =0 o C Io m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		5		nH
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=2.67 L/ min ,T F =65 o C		0.083 0.105	0.095 0.121	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5	3.6 5.4		4.4 6.6	N.M
G	Peso di Modulo		220		g