GD450HFX120N6HY , Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

450

A

IC

Corrente del collettore @ T F =100o C

300

A

ICRM

Ripetitiva Pico Collettore Corrente tp limitato di T vjop

900

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =65o C T vj =175o C

1208

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

450

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

IMF

Ripetitiva Pico In avanti Corrente tp limitato di T vjop

900

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

d Creep

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

7.3 7.3

mm

d Chiaro

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

7.3 4.0

mm

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.25

1.70

V

IC=300A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.35

IC=300A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.40

IC= 450 A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.40

IC= 450 A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.65

IC= 450 A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.70

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=15.6mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.8

6.4

7.0

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

1.67

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

81.2

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.56

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.53

nF

QG

Importo della porta

V CE = 600V,I C =450A, V GE =-8... +15V

5.31

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 450A, Barra G=1.5Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

361

nS

t barra

Tempo di risalita

63

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

729

nS

t f

Tempo di caduta

150

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

57.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

34.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 450A, Barra G=1.5Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =150o C

406

nS

t barra

Tempo di risalita

81

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

825

nS

t f

Tempo di caduta

235

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

80.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

45.9

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 450A, Barra G=1.5Ω, LS =20nH ,V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

420

nS

t barra

Tempo di risalita

84

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

844

nS

t f

Tempo di caduta

241

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

88.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

47.5

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V G

E= 15V,

1800

A

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.50

IF =300A,V GE =0V,T vj =175o C

1.45

IF = 450 A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF = 450 A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

IF = 450 A,V GE =0V,T vj =175o C

1.70

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 450A,

-di/dt=7460A/μs, V GE = 8V, LS =20nH ,T vj =25o C

19.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

294

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

8.32

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 450A,

-di/dt=5610A/μs, V GE = 8V, LS =20nH ,T vj =150o C

49.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

308

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

14.1

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 450A,

-di/dt=5250A/μs, V GE = 8V, LS =20nH ,T vj =175o C

56.0

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

311

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

15.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra

Nominale Resistenza

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Coefficiente di Temperatura nt

0.38

%/K

T S

Auto Riscaldamento

T C=0 o C

Im =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

5

nH

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △V/ △t=2.67 L/ mIN ,T F =65o C

0.083 0.105

0.095 0.121

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M

G

Peso di Modulo

220

g