GD600HFX120C2SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 600A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di rame isolata utilizzando la tecnologia HPS DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente Tensione transitorio del portatore-emettitore	±20 ±30	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	925 600	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	3000	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =600A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.65	2.00	V
		Io C =600A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.95
		Io C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.25		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		60.8		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		1.84		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		4.64		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 25 o C		339		nS
t r	Tempo di risalita			95		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			468		nS
t f	Tempo di caduta			168		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			63.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			56.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 125 o C		418		nS
t r	Tempo di risalita			135		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			567		nS
t f	Tempo di caduta			269		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			108		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			72.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 150 o C		446		nS
t r	Tempo di risalita			151		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			602		nS
t f	Tempo di caduta			281		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			123		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			78.2		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io F =600A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.90
		Io F =600A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =600A, -di/dt=5210A/μs,V GE = 15 V, L S = 34 nH ,T j = 25 o C		49.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			300		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			24.1		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =600A, -di/dt=3490A/μs,V GE = 15 V, L S = 34 nH ,T j = 125 o C		85.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			314		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			33.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =600A, -di/dt=3080A/μs,V GE = 15 V, L S = 34 nH ,T j = 150 o C		102		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			318		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			36.8		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso			20	nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.35		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.050 0.080	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.033 0.052 0.010		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g