Introduzione sintetica
Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .1200V 400A. - Sì.
Caratteristiche
- Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
- capacità di cortocircuito di 10 μs
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
-
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Applicazioni tipiche
- Invertitori per motori
- Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
- Fonte di alimentazione ininterrotta
Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C@ T C=65o C |
542
400
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
800 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T vj =150o C |
2840 |
A |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V RRM |
Volt inverso di picco ripetitivo età |
1200 |
V |
IF |
Diode Corrente continua in avanti Cu renta |
400 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
T vjmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
o C |
T vjop |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
o C |
T STG |
Intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
IC= 400 A,V GE = 15V, T vj =125o C |
|
3.95 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC=16mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
4.9 |
5.9 |
6.9 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF Corrente |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.63 |
|
ω |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
27.0 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.64 |
|
nF |
QG |
Importo della porta |
V GE =-15V…+15V |
|
4.32 |
|
μC |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.2Ω, V GE =± 15V, LS =50nH ,T vj =25o C
|
|
275 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
68 |
|
nS |
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
455 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
45 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione Perdita |
|
26.0 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
16.2 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C= 400A, Barra G=2.2Ω, V GE =± 15V, LS =50nH ,T vj =125o C
|
|
281 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
69 |
|
nS |
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
495 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
57 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione Perdita |
|
32.9 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
19.9 |
|
mJ |
ISC |
Dati SC |
t P≤10μs, V GE = 15V,
T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2700 |
|
A |
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione |
IF = 400 A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF = 400 A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F = 400A,
-di⁄dt=5666A⁄μs,V GE = 15 V, LS =50nH ,T vj =25o C
|
|
42.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
329 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
16.2 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F = 400A,
-di⁄dt=5534A⁄μs,V GE = 15 V, LS =50nH ,T vj =125o C
|
|
71.9 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
382 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
30.0 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
nH |
Barra CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
Barra ilJC |
Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo) |
|
|
0.044 0.107 |
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo) |
|
0.014 0.034 0.010 |
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
EN
