GD720HTA120P6HLT,Modulo IGBT,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 720A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 4μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Base isolata con pin in rame utilizzando la tecnologia Si3N4AMB

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	720	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =65 o C	600	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1440	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C	1204	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Pico ripetitivo volta inversa gE	1200	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	720	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1440	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me	-40 a +150 +150 a +175	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.50		V
		Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		1.80
		Io C =600A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.85
		Io C =720A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.60
		Io C =720A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		2.05
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C		6.0		V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.67		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		48.7		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.55		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.26		nF
Q G	Importo della porta	V CE =800V,I C = 600A, V GE =-8... +15V		3.52		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj = 25 o C		208		nS
t r	Tempo di risalita			65		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			505		nS
t f	Tempo di caduta			104		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			77.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			62.2		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C		225		nS
t r	Tempo di risalita			75		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			567		nS
t f	Tempo di caduta			191		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			110		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			83.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =800V,I C =600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C		226		nS
t r	Tempo di risalita			77		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			583		nS
t f	Tempo di caduta			203		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			118		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			85.9		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤4μs, V GE = 15V, T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2600		A

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =600A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.95		V
		Io F =600A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
		Io F =600A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.90
		Io F =720A,V GE =0V,T vj =2 5o C		2.05
		Io F =720A,V GE =0V,T vj = 175 o C		2.05
Q r	Importo recuperato	V R =800V,I F =600A, -di⁄dt=8281A⁄μs, L S =24n H, V GE = 8V, T vj = 25 o C		44.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			346		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			16.2		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =800V,I F =600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE = 8V, T vj = 150 o C		73.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			385		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			27.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =800V,I F =600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE = 8V, T vj = 175 o C		80.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			392		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			30.7		mJ

NTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		8		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.75		mΩ
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo T piastra di base < 40 o C T piastra di base > 40 o C (pressione relativa)			2.5 2.0	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		0.072 0.104	0.083 0.120	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Peso di Modulo		750		g