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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

Homepage/Prodotti/Modulo IGBT/Modulo IGBT 1200V

GD300HFX120C2SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 300A, Confezione: C2

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300HFX120C2SA
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .1200V 300A. - Sì.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (sat) IGBT a trincea Tecnologia T
  • cortocircuito di 10 μs capacità
  • V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
  • Massimo temperatura di giunzione 175o C
  • Cassa a bassa induttanza
  • Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata utilizzando la tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

477

300

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

1578

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

600

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.87

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=300A, Barra G=1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

181

nS

t barra

Tempo di risalita

39

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

305

nS

t f

Tempo di caduta

199

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

22.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

21.0

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=300A, Barra G=1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

191

nS

t barra

Tempo di risalita

45

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

357

nS

t f

Tempo di caduta

313

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

39.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

30.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=300A, Barra G=1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =150o C

193

nS

t barra

Tempo di risalita

47

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

368

nS

t f

Tempo di caduta

336

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

44.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

32.3

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =300A,

-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25o C

59.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

397

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

24.9

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =300A,

-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125o C

91.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

383

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

36.5

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =300A,

-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150o C

99.6

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

380

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

39.1

mJ

Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.095 0.163

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.032 0.054 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

image(c3756b8d25).png

Schema del circuito equivalente

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