GD300HFX120C2SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 300A. - Sì.

Caratteristiche

Bassa V CE (sat) IGBT a trincea Tecnologia T
cortocircuito di 10 μs capacità
V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
Massimo temperatura di giunzione 175o C
Cassa a bassa induttanza
Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
Piastra di base in rame isolata utilizzando la tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	477 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	600	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	1578	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	600	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C =300A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		1.95
		Io C =300A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		31.1		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.87		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj = 25 o C		181		nS
t r	Tempo di risalita			39		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			305		nS
t f	Tempo di caduta			199		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			22.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			21.0		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj = 125 o C		191		nS
t r	Tempo di risalita			45		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			357		nS
t f	Tempo di caduta			313		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			39.8		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			30.7		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj = 150 o C		193		nS
t r	Tempo di risalita			47		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			368		nS
t f	Tempo di caduta			336		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			44.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			32.3		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Io F =300A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Io F =300A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj = 25 o C		59.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			397		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			24.9		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj = 125 o C		91.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			383		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			36.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj = 150 o C		99.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			380		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			39.1		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso			20	nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.35		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.095 0.163	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.032 0.054 0.010		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g