IGCT,Dispositivo IGCT Asimmetrico,SC3.CRC 2200-45,CCRC, Conduttore Inverso

V _DRM

4500

V

Io _TGQM

2200

A

Io _TSM

20

kA

V A

1.31

V

r _T

0.373

mΩ

V _DClink

2800

V

符号

nome del parametro

minimo

tipico

massimo

unità

F

forza di serraggio

36

40

44

kN

P p

diametro del piano

-

85

-

mm

H

altezza del guscio

-

26

-

mm

m

qualità

-

2.8

-

kg

P s

distanza di creep

33

-

-

mm

P a

distanza di scarica

10

-

-

mm

Io

IGCT lunghezza

-

439

-

mm

h

IGCT altezza

-

41

-

mm

w

IGCT 宽度

-

174

-

mm

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

V DRM

tensione di picco ripetitiva in stato di blocco

alimentazione dell'unità del gate , T VJ = 125°C, Io P ≤ Io DRM, t p = 10ms

-

-

4500

V

Io DRM

corrente di picco ripetitiva in stato di blocco

alimentazione dell'unità del gate , T VJ = 125°C, V D = V DRM, t p = 10ms

-

-

50

mA

V DClink

tensione continua intermedia

alimentazione dell'unità del gate , 100FIT tensione continua intermedia consentita per il tasso di guasto

-

-

2800

V

V RRM

tensione inversa

/

-

-

17

V

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

Io T(AV) Io T (RMS)

corrente media in stato di conduzione

corrente efficace in stato di conduzione

T C = 85°C, 正弦半波 , raffreddamento su entrambi i lati

-

-

-

-

1130

1800

A

A

Io TSM

Io 2t

corrente di sovratensione non ripetitiva in stato di conduzione

prodotto corrente quadrata per tempo

T Vj =

125°C, 正弦半波 , 10ms, V D = V R = 0

-

-

-

-

20

200

kA

104A2s

V TM

tensione in stato di conduzione

T Vj =

125°C, Io T = 2200A

-

-

2.24

V

V A

r T

tensione di soglia

resistenza di pendenza

T Vj =

125°C, Io T = 400…3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

V

mΩ

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

p io T /dt

tasso critico di aumento della corrente in stato di conduzione

T Vj = 125°C, Io T = 2200A, V D = 2800V,

f = 0..500Hz, Io TM ≤ 2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

-

-

650

A/μs

t don

tempo di ritardo di accensione

-

3

μs

t donSF

tempo di ritardo del feedback di accensione

T Vj = 125°C, Io T = 2200A, V D = 2800V,

CCL = 10μF, d io /dt = V D/Li, RS = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t r

tempo di caduta della tensione anodica

L i = 3μH, L CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E oN

energia di attivazione a impulso singolo

-

-

0.9

J

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

Io TGQM

corrente massima di spegnimento

T VJ = 125°C, V Dm ≤ V DRM, V D = 2800V, L CL ≤ 0.3μH, C CL = 10μF, R S = 0.4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

A

t - Non lo so.

tempo di ritardo di spegnimento

-

-

7

μs

t doffSF

tempo di ritardo del feedback di spegnimento

T Vj = 125°C, Io TGQ = 2200A, V D = 2800V,

V Dm ≤ V DRM, C CL = 10μF, R S = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t f

- Il tempo scende.

L i = 3μH, L CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E oFF

energia di spegnimento a impulso singolo

-

-

12

J

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

Io F(AV)

Io F (RMS )

corrente media diretta

T C = 85°C , 正弦半波

-

-

405

A

corrente quadratica media diretta

-

-

635

A

Io FSM

Io 2t

corrente di sovratensione

prodotto corrente quadrata per tempo

t p = 10ms, T VJ = 125°C, V R = 0V

-

-

11

kA

-

-

60.5

104A2s

V F

tensione in stato di conduzione

Io F = 2200A, T VJ = 125°C

-

-

3.93

V

V (F0)

r F

tensione di soglia

resistenza di pendenza

T VJ = 125°C, Io F = 400...3000A

-

-

2.32

V

-

-

0.735

mΩ

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

V FR

tensione di recupero di picco diretta

p io F/d t = 650A/μs, T VJ = 125°C

-

-

80

V

simbolo numero

partecipare quantità nome denominazione

voce pezzo

minimo piccolo

tipico tipo

minimo grande

单 位

T Vj

intervallo di temperatura del giunto di lavoro

0

-

125

℃

T STG

intervallo di temperatura di stoccaggio

/

0

-

60

℃

T AMB

intervallo di temperatura ambientale

0

-

50

℃

GCT R ilJC GCT

resistenza termica del giunto

resistenza termica di contatto

raffreddamento su entrambi i lati

-

-

-

-

0.0126

0.0042

C/W

C/W

FRD R ilJC FRD

resistenza termica del giunto

resistenza termica di contatto

raffreddamento su entrambi i lati

-

-

-

-

0.0260

0.0104

C/W

C/W