GD600HFX120C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

1108

600

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

4054

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

600

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.90

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

1.95

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

0.7

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

1.74

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

4.62

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.2Ω, LS =34nH , V GE = ± 15V,T j =25o C

266

nS

t barra

Tempo di risalita

82

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

400

nS

t f

Tempo di caduta

192

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

65.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

52.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.2Ω, LS =34nH , V GE = ± 15V,T j =125o C

282

nS

t barra

Tempo di risalita

94

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

448

nS

t f

Tempo di caduta

290

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

96.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

67.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A, Barra G=1.2Ω, LS =34nH , V GE = ± 15V,T j =150o C

286

nS

t barra

Tempo di risalita

94

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

459

nS

t f

Tempo di caduta

299

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

107

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

70.3

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =600A,V GE =0V,T j =125o C

2.05

IF =600A,V GE =0V,T j =150o C

2.10

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =25o C

23.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

260

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

11.7

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =125o C

65.1

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

293

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

26.4

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =150o C

76.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

306

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

30.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.037 0.065

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

0.028 0.050 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g