GD200HFF120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 85 o C

294

200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T = 175 o C

1056

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.90

2.35

V

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 125o C

2.40

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.55

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

100

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.75

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.58

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

1.55

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

374

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

326

nS

t f

Tempo di caduta

204

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

13.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

10.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

419

nS

t r

Tempo di risalita

63

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

383

nS

t f

Tempo di caduta

218

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

20.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

419

nS

t r

Tempo di risalita

65

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

388

nS

t f

Tempo di caduta

222

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

22.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.90

2.35

V

Io F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Io F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

10.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

90

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

3.40

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

26.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

132

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.75

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C

30.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.3

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

15

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.25

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.142

0.202

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.034

0.048

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g