GD200HFF120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T =175o C

1056

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

IF

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di stoccaggio Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V GE = 15V, T j = 125o C

2.40

IC=200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.75

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

0.58

nF

QG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G=0.75Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

374

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

326

nS

t f

Tempo di caduta

204

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

13.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

10.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G=0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

419

nS

t barra

Tempo di risalita

63

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

383

nS

t f

Tempo di caduta

218

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

20.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G=0.75Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

419

nS

t barra

Tempo di risalita

65

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

388

nS

t f

Tempo di caduta

222

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

22.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

10.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

90

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

3.40

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

132

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

9.75

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

11.3

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

15

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.25

mΩ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.142

0.202

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.034

0.048

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g