Modulo IGBT GD820HTA75P6H Starpower

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato renta

820

A

Io C

Corrente del collettore @ T F =90 o C

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1640

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T j = 175 o C

751

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

Io FN

Collettore Cu implementato renta

820

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1640

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.10

1.35

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.15

Io C = 450A, V GE = 15V, T j = 175 o C

1.15

Io C =820A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.30

Io C =820A,V GE = 15V, T j = 175 o C

1.50

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.5

6.5

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C - Non

Capacità di uscita

1.51

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.32

nF

Q G

Importo della porta

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.77

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 25 o C

315

nS

t r

Tempo di risalita

61

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

729

nS

t f

Tempo di caduta

70

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

12.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

18.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 150 o C

338

nS

t r

Tempo di risalita

74

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

826

nS

t f

Tempo di caduta

151

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

20.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

25.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 175 o C

343

nS

t r

Tempo di risalita

77

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

846

nS

t f

Tempo di caduta

171

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

25.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

27.3

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 6 μs,V GE = 15V,

T j = 25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

t P ≤3μs,V GE = 15V,

T j = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.40

1.65

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

Io F =820A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.70

Io F =820A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7760A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 25 o C

10.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

287

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

4.83

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6300A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C

25.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

341

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.32

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=5990A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 175 o C

30.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

354

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

10.6

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

8

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

64

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

T piastra di base < 40 o C

T piastra di base 40o C

(pressione relativa)

2.5 2.0

bar

R thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.116 0.175

0.133 0.200

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g