Y50KFE, Thyristor Pemadaman Cepat Non Simetris

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=55℃

125

1494

A

TC=70℃

1243

VDRM

Tegangan off-state puncak repetitif

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1000

1800

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

80

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

17

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1445

A2s* 103

VTO

Tegangan Ambang

125

1.57

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan menyala

0.21

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=3000A, F=24kN

15μs≤tq≤28μs

25

2.50

V

29μs≤tq≤55μs

2.10

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

VDM= 67%VDRM hingga 1600A,

Pulsa gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Biaya pemulihan

ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

55

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.9

3.0

V

IH

Arus penahan

20

500

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sine, pendinginan sisi ganda Gaya penjepit 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

19

26

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

440

g

Rangka kerja

KT50cT