1 |
Modul IGBT dan Pengemudi |
2 |
Modul IGCT dan Pengemudi |
3 |
Modul FRD |
4 |
Modul Diode |
5 |
Modul Thyristor |
6 |
Sensor arus |
7 |
Kondensator |
8 |
Resistor |
9 |
Relay keadaan padat |
10 |
Robot industri dan Komponen inti |
11 |
Pesawat Tanpa Awak Sipil dan Komponen Inti |
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
3300 |
V |
|
V CE(sat)
|
- Tempel. |
2.5 |
V |
Saya C
|
Maks. |
250 |
A |
Saya C ((RM)
|
IC ((RM) |
500 |
A |
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
3300 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =100℃ |
250 |
A |
Saya C(PK) |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
500 |
A |
P max.
|
Maks. disipasi daya transistor Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
2600 |
W |
Saya 2t |
Arus Dioda 2t V R =0V, T P = 10ms, Tvj = 150 °C
|
20 |
kA 2s |
V isolasi
|
Tegangan isolasi per modul (Kaki umum terhubung ke pelat dasar),
AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
W |
Q PD
|
Pengeluaran parsial per modul IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS
|
10 |
pC |
Simbol |
Penjelasan |
Nilai |
Unit |
Jarak merayap |
Terminal ke Heatsink |
33.0 |
mm |
Terminal ke Terminal |
33.0 |
mm |
|
Izin |
Terminal ke Heatsink |
20.0 |
mm |
Terminal ke Terminal |
20.0 |
mm |
|
CTI (Indeks Pelacakan Perbandingan) |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
>600 |
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
Maks. |
Nilai |
Unit |
|
R th(J-C) IGBT |
Hambatan termal – IGBT |
48 |
K / kW |
℃ |
|||
R th(J-C) Diode |
Hambatan termal – Diode |
80 |
K / kW |
℃ |
|||
R th(C-H) IGBT |
Hambatan termal – kasus ke heatsink (IGBT) |
Torsi pemasangan 5Nm, dengan pelumas pemasangan 1W/m·°C |
18 |
K / kW |
℃ |
||
R th(C-H) Diode |
Hambatan termal – kasus ke heatsink (Diode) |
Torsi pemasangan 5Nm, dengan pelumas pemasangan 1W/m·°C |
36 |
K / kW |
V |
||
T vj op
|
Suhu Junction Operasi |
IGBT |
-40 |
150 |
°C |
||
Dioda |
-40 |
150 |
°C |
||||
M |
Torsi sekrup |
Pemasangan –M6 |
5 |
nm |
|||
Koneksi listrik – M5 |
4 |
nm |
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
Saya CES
|
Arus pemotongan kolektor |
V GE = 0V,V CE = V CES
|
1 |
mA |
||
V GE = 0V, V CE = V CES , T C = 125 °C |
15 |
mA |
||||
V GE = 0V, V CE = V CES , T C = 150 °C |
25 |
mA |
||||
Saya GES
|
Listrik kebocoran gerbang |
V GE = ±20V, V CE = 0V |
1 |
μA |
||
V GE (TH)
|
Tegangan ambang gerbang |
Saya C = 20mA, V GE = VCE |
5.5 |
6.1 |
7.0 |
V |
VCE (sat)
|
Tegangan Penuh Kollektor-Emitter |
VGE = 15V, IC = 250A |
||||
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C |
||||||
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C |
||||||
Saya F
|
Dioda arus ke depan |
DC |
250 |
A |
||
Saya FRM
|
Arus maju puncak dioda |
t P = 1ms |
500 |
A |
||
V F
|
Tegangan dioda ke depan |
Saya F = 250A, V GE = 0 |
2.10 |
2.40 |
V |
|
Saya F = 250A, V GE = 0, T vj = 125 °C |
2.25 |
2.25 |
V |
|||
Saya F = 250A, V GE = 0, T vj = 150 °C |
2.25 |
2.25 |
V |
|||
Saya SC
|
Arus sirkuit pendek |
T vj = 150° C, V CC = 2500V, V GE ≤15V, tp≤10μs, V CE (maks) = V CES – L (*2)×di/dt, IEC 6074 |
900 |
A |
||
Ces |
Kapasitas input |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
27 |
nF |
||
Qg |
Biaya gerbang |
±15 |
2.6 |
V |
||
Cres |
Kapasitas transfer terbalik |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
0.9 |
nF |
||
L M
|
Induktansi modul |
40 |
nH |
|||
R INT
|
Resistensi internal transistor |
0.5 |
mΩ |
Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.