Modul Transistor IGBT GD450HFX170C6S untuk UPS Inverter Baru dan Asli Komponen Elektronik Starpower Modul Daya

Modul Transistor IGBT GD450HFX170C6S untuk UPS Inverter Baru dan Asli Komponen Elektronik Starpower Modul Daya

Pengantar

Profil Perusahaan

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah perusahaan berbasis teknologi dengan kualifikasi impor dan
ekspor, terutama bergerak dalam distribusi semikonduktor produk dan pembuatan kontrak sesuai pesanan di CHINA.
Kami memiliki persyaratan ketat mengenai pemilihan produsen. Oleh karena itu, kami hanya mendistribusikan produk dari produsen Tiongkok dengan
teknologi kelas satu.
Pembuatan ulang garis transmisi otomatis pabrik adalah bagian penting lain dari kontrak kami
manufaktur.

Produk Kami

1	Modul IGBT dan Pengemudi
2	Modul IGCT dan Pengemudi
3	Modul FRD
4	Modul Diode
5	Modul Thyristor
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Resistor
9	Relay keadaan padat
10	Robot industri dan Komponen inti
11	Pesawat Tanpa Awak Sipil dan Komponen Inti

Mengapa Memilih Kami

1. kami hanya mendistribusikan produk dari produsen Tiongkok dengan teknologi kelas satu. Ini adalah langkah kunci kami.
2. Kami memiliki persyaratan ketat dalam pemilihan produsen.
3. Kami memiliki kemampuan untuk memberikan solusi alternatif kepada pelanggan dari Tiongkok.
4. Kami memiliki tim yang bertanggung jawab.

Deskripsi Produk

GD450HFX170C6S

1700V/450A 6 dalam satu paket

Deskripsi Umum
Modul Daya jenis ini menyediakan kerugian konduksi ultra rendah serta kekuatan terhadap arus pendek. Mereka dirancang untuk aplikasi seperti inverter umum dan UPS.

Fitur

(1) Teknologi IGBT Trench dengan VCE(sat) Rendah
(2) Kemampuan sirkuit pendek 10μs
(3) VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
(4) Suhu simpul maksimum 175℃
(5) Kasing dengan induktansi rendah
(6) Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
(7) Plat tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

(1) Inverter untuk penggerak motor
(2) Penguat penggerak servo AC dan DC
(3) Sumber daya tanpa putus

Peringkat Maksimum Absolut

T _C=25℃ kecuali dicatat lain

IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V _CES	Tegangan kolektor-emitter	1700	V
V _GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya _C	Arus Pengumpul @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	706 450	A
Saya _CM	Arus Kolektor Berdenyut t _p= 1ms	900	A
P _P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T _j=175℃	2542	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V _RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1700	V
Saya _F	Arus Maju Diode Berkelanjutan	450	A
Saya _Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t _p= 1ms	900	A

Modul

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
T _jmax	Suhu Junction Maksimum	175	℃
T _jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	℃
T _STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	℃
V _ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V