Modul IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverter Konverter Penggerak Asli Baru Turbin Angin Modul Semikonduktor Diskrit

Profil Perusahaan

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah perusahaan berbasis teknologi dengan kualifikasi impor dan ekspor, Didirikan berdasarkan prinsip inovasi dan keunggulan, berada di garis depan solusi pengganti dan teknologi semikonduktor. memfokuskan pada desain produk semikonduktor, penyesuaian kontrak, dan distribusi. Kami memiliki persyaratan ketat dalam pemilihan mitra kerja sama, Kami hanya bekerja sama dengan perusahaan teknologi dan produsen dengan teknologi desain dan manufaktur kelas satu. Penyesuaian optimasi jalur transmisi otomatis pabrik merupakan bagian penting lain dari manufaktur kontrak kami.

Milik Kami produk

1	Modul IGBT dan Pengemudi
2	Modul IGCT dan Pengemudi
3	Papan inti inverter
4	Modul Diode
5	Modul Thyristor
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Resistor
9	Sistem penyimpanan energi
10	Robot industri dan Komponen inti
11	Pesawat Tanpa Awak Sipil dan Komponen Inti

Deskripsi Produk

Fitur

(1) Pelat Dasar AISiC untuk kemampuan siklus daya tinggi
(2) Cu Baseplate
(3) Kemampuan Siklus Termal Tinggi
(4) Ketumpatan arus tinggi

(5) Tahan singkat sirkuit 10μs
(6) Rendah VCEsat

Aplikasi Tipikal

(1) Penggerak motor
(2) Konverter Daya Tinggi
(3) Turbin Angin
(4) Inverter Keandalan Tinggi

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Setengah Jembatan IGBT

Parameter Utama

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V _CES		1200	V
V _CE(sat)	- Tempel.	1.85	V
Saya _C	Maks.	1000	A
IC ((RM)	Maks.	2000	A

Nilai Maksimal Mutlak( Tcase = 25°C kecuali dinyatakan lain )

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V _CES	Tegangan kolektor-emitter	1700	V
V _GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya _C	Arus Pengumpul @ Tcase = 90 °C	1000	A
Saya _C(PK)	Arus pengumpul puncak, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max.	Dissipasi daya transistor maks., Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Saya ²t	Arus Dioda ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isolasi	(Terminal umum ke pelat dasar), AC RMS, 1 menit, 50Hz	4000	V
Saya _F	Arus maju dioda, DC	1000	A
Saya _FRM	Arus maju maksimum dioda, tp=1ms	2000	A
Torsi pemasangan	Pemasangan – M5	6	Nm
	Pemasangan – M5	6
		Koneksi listrik – M8		10

Karakteristik Listrik

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

jenis

Maks.

Nilai

Unit

V _F

Tegangan dioda ke depan

Saya _F=1000A，V _GE = 0，Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

Saya _F=1000A，V _GE= 0，Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Saya _F=1000A，V _GE= 0，Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Saya _FRM

Arus maju puncak dioda

t _P= 1ms

2000

A

Saya _F

Arus maju dioda,

DC

1000

A

Irr

Dioda Mundur
arus pemulihan

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Dioda Mundur
biaya pemulihan

285

μC

315

340

E _rEC

Energi pemulihan dioda terbalik

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Karakteristik Listrik

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V _{CE (sat)}	Tegangan Penuh Kollektor-Emitter	V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Saya _CES	Arus pemotongan kolektor	V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Saya _GES	Listrik kebocoran gerbang	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Tegangan ambang gerbang-emitter	Saya _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{d (on)}	Waktu penundaan menyala @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		n
								1410
								1440
td (off)	Waktu penundaan pemutus @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		n
								470
								450
Saya _SC	Arus sirkuit pendek	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Ces	Kapasitas input	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Kapasitas transfer terbalik	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Qg	Biaya gerbang	± 15V		11.4		μC
E _pADA	Kerugian energi saat menyala @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _mATI	Energi kehilangan saat mematikan @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Mengapa Memilih Kami

1. kami hanya mendistribusikan produk dari produsen Tiongkok dengan teknologi kelas satu. Ini adalah langkah kunci kami.
2. Kami memiliki persyaratan ketat dalam pemilihan produsen.
3. Kami memiliki kemampuan untuk memberikan solusi alternatif kepada pelanggan dari Tiongkok.
4. Kami memiliki tim yang bertanggung jawab.

Kemasan produk