CRRC 1700V 2400A Modul IGBT Tegangan-Tinggi TIM2400ESM17-TSA000 Baru/Asli Modul Daya Smart Grid Choppers Inverter Konverter

Profil Perusahaan

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah perusahaan berbasis teknologi dengan kualifikasi impor dan ekspor, Didirikan berdasarkan prinsip inovasi dan keunggulan, berada di garis depan solusi pengganti dan teknologi semikonduktor. Memfokuskan pada desain produk semikonduktor, penyesuaian kontrak, dan distribusi. Kami memiliki persyaratan ketat dalam memilih mitra kerja sama, Kami hanya bekerja sama dengan perusahaan teknologi dan produsen dengan teknologi desain dan manufaktur kelas satu. Penyesuaian optimasi jalur transmisi otomatis pabrik merupakan bagian penting lain dari manufaktur kontrak kami. .

Milik Kami produk

1	Modul IGBT dan Pengemudi
2	Modul IGCT dan Pengemudi
3	Papan inti inverter
4	Modul Diode
5	Modul Thyristor
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Resistor
9	Relay keadaan padat
10	Robot industri dan Komponen inti
11	Pesawat Tanpa Awak Sipil dan Komponen Inti

Deskripsi Produk

Fitur

(1) Pelat Dasar AISiC
(2) Substrat AIN
(3) Kemampuan Siklus Termal Tinggi
(4) Tahan Short Circuit 10μs

(5) Perangkat Vce(sat) Rendah

(6) Ketumpatan arus tinggi

Aplikasi Tipikal

(1) Penggerak traksi
(2) Kontroler Motor
(3) Jaringan Pintar
(4) Inverter Dengan Keandalan Tinggi

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A Tunggal Switch IGBT

Parameter Utama

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V _CES		1700	V
V _CE(sat)	- Tempel.	1.75	V
Saya _C	Maks.	2400	A
Saya _{C ((RM)}	IC ((RM)	4800	A

Peringkat Maksimum Absolut

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Nilai	Unit
V _CES	Tegangan kolektor-emitter	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Tegangan gerbang-emitter	T _C= 25 °C	±20	V
Saya _C	Arus kolektor-emitter	T _C= 75°C	2400	A
Saya _C(PK)	Arus puncak kolektor	t _P= 1ms	4800	A
P _max.	Maks. disipasi daya transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Saya ²t	Arus Dioda ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Tegangan isolasi –per modul	( Terminal yang disatukan ke pelat dasar), AC RMS,1 menit, 50Hz,T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Pelepasan parsial–per modul	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V，50HzRMS	10	pC

Data Termal & Mekanis

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	Maks.	Nilai		Unit
R _{th(J-C) IGBT}	Hambatan termal – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Hambatan termal – Diode			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Hambatan termal – kasus ke heatsink (IGBT)	Torsi pemasangan 5Nm, dengan pelumas pemasangan 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Suhu Junction Operasi	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Suhu Junction Operasi			Dioda	-40	150	°C
M	Torsi sekrup	Pemasangan –M6		5	nm
				Koneksi listrik –M4		2	nm
				Koneksi listrik –M8		10	nm

Karakteristik Listrik

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
Saya _CES	Arus pemotongan kolektor	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C= 125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C= 150 °C			60	mA
Saya _GES	Listrik kebocoran gerbang	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Tegangan ambang gerbang	Saya _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Tegangan Penuh Kollektor-Emitter	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Saya _F	Dioda arus ke depan	DC		2400		A
Saya _FRM	Arus maju puncak dioda	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Tegangan dioda ke depan	Saya _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				Saya _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Saya _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Saya _SC	Arus sirkuit pendek	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
Ces	Kapasitas input	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
Qg	Biaya gerbang	±15		19		μC
Cres	Kapasitas transfer terbalik	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Induktansi modul			10		nH
R _INT	Resistensi internal transistor			110		mΩ

T kasus = 25°C kecuali dinyatakan lain

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min

Jenis

Max.

Unit

t _{d ((off)}

Waktu penundaan pemutus

Saya _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G ((ON)}= 0.5Ω
R _{G ((OFF)}= 0.5Ω

2320

n

E _MATI

Kerugian energi saat mati

500

mJ

t _{d (on)}

Waktu penundaan menyala

1050

n

E _PADA

Kerugian energi saat menyala

410

mJ

Q _r

Muatan pemulihan dioda terbalik

Saya _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Saya _r

Diode arus pemulihan terbalik

1000

A

E _rEC

Energi pemulihan dioda terbalik

320

mJ

T kasus = 150°C kecuali dinyatakan lain