MTx1200 MFx1200,Modul Thyristor/Diode,Pendinginan Udara

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

600V

MT2 teknologi informasi

MFx1200-06-412F3

800V

MT2 teknologi informasi

MFx1200-08-412F3

1000V

MT3 percobaan

MFx1200-10-412F3

1200V

MT2Pengelolaan

MFx1200-12-412F3

1400V

MT2Pengelolaan

MFx1200-14-412F3

1600V

MT2Pengelolaan

MFx1200-16-412F3

1800V

MT2Pengelolaan

MFx1200-18-412F3

1800V

MT1200-18-412F3G

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃)

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz

Satu sisi didinginkan, TC=60 ℃

125

1200

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

1884

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

55

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

VR=60%VRRM,,t=10ms setengah sinus,

125

26

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

125

3380

10³A ²s

VTO

Tegangan Ambang

125

0.70

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.14

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM = 3000A

25

1.96

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

10

200

mA

IL

Arus pengunci

1500

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 °sinus. Sisi tunggal didinginkan per chip

0.048

℃/W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Pada 180 °sinus. Sisi tunggal didinginkan per chip

0.020

℃/W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(maks)

3000

V

Fm

Torsi koneksi terminal ((M12)

12.0

16.0

Jumlah

Torsi pemasangan ((M8)

10.0

12.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

3660

g

Rangka kerja

412F3