YMIF250-65,Modul IGBT,Tegangan tinggi, IGBT tunggal,CRRC

Parameter

Simbol

Kondisi

min

max.

Unit

Kolektor-Emitter tegangan

V CES

V GE =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

Arus kolektor DC

Saya C

T C =80°C

250

A

Arus puncak kolektor

Saya CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Tegangan gerbang-emitter

V GES

-20

20

V

Total daya dissipasi

P untuk

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC arus ke depan

Saya F

250

A

Puncak ke depan arus

Saya FRM

tP=1ms

500

A

IGBT pendek sIRKUIT SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V GE ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

Tegangan isolasi

V isolasi

1 menit, f=50Hz

10200

V

Suhu persimpangan

T vj

125

℃

Suhu operasi simpang

T vj(op)

-50

125

℃

Suhu kasus

T C

-50

125

℃

Suhu penyimpanan

T sTG

-50

125

℃

Torsi pemasangan

MS

4

6

Nm

M T1

8

10

Parameter

Simbol

Kondisi

Min

tIPE

max.

Unit

Kolektor (- emitter) tegangan pemutus

V ((BR) CES

VGE = 0V, IC = 3mA, Tvj=25°C

6500

V

Kolektor-Emitter saturasi tegangan

VCEsat

IC = 250A,V GE = 15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj = 125°C

3.4

4

4.6

V

Kolektor pemotongan arus

ICES

VCE = 6500V, VGE = 0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj = 125°C

50

mA

Gerbang arus kebocoran

IGES

VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 125°C

-500

500

nA

Ambang Gerbang-Emitor tegangan

V GE (th)

IC=80mA, VCE=VGE, TVj=25°C

5.4

6.2

7

V

Waktu penundaan menyala

t d (on)

VCC = 3600V, IC=250A,

RGon=6,8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=± 15V,

Ls=280nH,

感性负载 (berkarakter)

TVj = 25 °C

1

μ s

TVj = 125 °C

0.94

Kenaikan waktu

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Waktu penundaan pemutus

t d ((off)

TVj = 25 °C

3.9

μ s

TVj = 125 °C

4.2

Waktu musim gugur

t f

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Switching Nyalakan loss energy

EON

TVj = 25 °C

3081

mJ

TVj = 125 °C

3900

Switching Matikan loss energy

E mATI

TVj = 25 °C

2100

mJ

TVj = 125 °C

1236

Pendek arus sirkuit

Saya SC

tPSC ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125°C, V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

A