Pengenalan singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.
Fitur
-
V rendah CE (sat ) Lubang IGBT tEKNOLOGI
-
10 μs kapasitas sirkuit pendek kelembaban
-
V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
-
Induktansi rendah kasus
-
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
-
Baseplate tembaga terisolasi kami teknologi HPS DBC
Tipikal Aplikasi
-
Inverter untuk motor drive
-
AC dan DC servo mengemudikan penguat
-
PW tak terputus er pasokan
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter
Tegangan Gate-Emitter Transient
|
±20
±30
|
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C =90o C
|
873
600
|
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
1200 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C |
2727 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
600 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1200 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit |
2500 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor
Tegangan Jenuh
|
Saya C =600A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
Saya C =600A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
2.00 |
|
Saya C =600A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.05 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI
Arus
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
55.9 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik
Kapasitansi
|
|
1.57 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
4.20 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =600A, R G = 1,5Ω
aku tidak tahu. S =34nH, V GE = ± 15V,T j =25o C
|
|
109 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
62 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
469 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
68 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
42.5 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
46.0 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =600A, R G =1.5Ω,
L S =34nH ,
V GE = ± 15V,T j =125o C
|
|
143 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
62 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
597 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
107 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
56.5 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
70.5 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =600A, R G =1.5Ω,
L S =34nH ,
V GE = ± 15V,T j =150o C
|
|
143 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
68 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
637 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
118 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
61.2 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
77.8 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10μs,V GE = 15V,
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Tegangan
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.05 |
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =150o C |
|
2.10 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34nH ,T j =25o C
|
|
58.9 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
276 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
20.9 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34nH ,T j =125o C
|
|
109 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
399 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
41.8 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34nH ,T j =150o C
|
|
124 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
428 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
48.5 |
|
mJ |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)
|
|
|
0.055
0.089
|
K/W |
|
R thCH
|
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)
Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)
Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)
|
|
0.032
0.052
0.010
|
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
300 |
|
g |