GD600HFX120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20

±30

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=90o C

873

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

2727

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

2.00

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.7

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

55.9

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.57

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.20

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,5Ω

aku tidak tahu. S =34nH, V GE = ± 15V,T j =25o C

109

n

t r

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

469

n

t f

Waktu musim gugur

68

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

42.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

46.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω,

LS =34nH ,

V GE = ± 15V,T j =125o C

143

n

t r

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

597

n

t f

Waktu musim gugur

107

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

56.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

70.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω,

LS =34nH ,

V GE = ± 15V,T j =150o C

143

n

t r

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

637

n

t f

Waktu musim gugur

118

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

61.2

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

77.8

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =600A,V GE =0V,T j =125o C

2.05

IF =600A,V GE =0V,T j =150o C

2.10

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, LS =34nH ,T j =25o C

58.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

276

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.9

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, LS =34nH ,T j =125o C

109

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

399

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

41.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, LS =34nH ,T j =150o C

124

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

428

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

48.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.055

0.089

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.032

0.052

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g