IGBT Die

IGBT 3300V 62,5A Die IGBT Tegangan Tinggi Die IGBT Ultra tipis berkurang kerugiannya Desain SPT+ yang sangat tangguh Area SOA besar Passivasi: Nitrida ditambah poliimida

IGBT 3300V 62,5A Die IGBT Tegangan Tinggi Die IGBT Ultra tipis berkurang kerugiannya Desain SPT+ yang sangat tangguh Area SOA besar Passivasi: Nitrida ditambah poliimida

3300V 62,5A

Brand:

Spu:

DG50P45K1

Pengantar

Pengantar

■Fitur

IGBT die ultra rendah kehilangan daya
Desain SPT+ yang sangat tangguh
SOA besar
Passivasi: Nitrida ditambah poliimida

■ Maksimum Nilai Terukur

Parameter	Simbol	Kondisi	Nilai		Unit
Parameter	Simbol	Kondisi	min	max.	Unit
Tegangan kolektor-emitter	V _CES	V _GE= 0 V		3300	V
Arus kolektor DC	Saya _C			63	A
Arus puncak kolektor	Saya _CM	Dibatasi oleh Tvjmax		125	A
Tegangan gerbang-emitter	V _GES		-20	+20	V
IGBT Short Circuit SOA	t _psc	V CC = 2500 V, V CEM ≤ 3300 V, V GE ≤ 15 V,T vj ≤ 150 ° C		10	μs
Suhu persimpangan	T _vj		-40	125	°C

■ Nilai karakteristik IGBT

Parameter	Simbol	Kondisi		Nilai			Unit
Parameter	Simbol	Kondisi		Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
Co tegangan Tembus Kolektor-Emitor	V ((BR) CES	VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C		3300			V
Tegangan Penuh Kollektor-Emitter	VCE (sat)	IC = 63 A, VGE = 15 V	Tvj = 25 °C		2.45	2.95	V
Tegangan Penuh Kollektor-Emitter	VCE (sat)	IC = 63 A, VGE = 15 V	Tvj = 150 °C		3.30	3.80	V
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	VCE = 3300 V,VGE = 0 V	Tvj = 25 °C			100	µA
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	VCE = 3300 V,VGE = 0 V	Tvj = 150 °C		2000		µA
Listrik kebocoran gerbang-emitter	IGES	VCE = 0 V,VGE = ±20 V, Tvj = 150 °C		-500		500	nA
Tegangan ambang gerbang-emitter	VGE(th)	IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C		5.8	6.8	7.8	V
Biaya gerbang	Qg	IC = 63 A, VCE = 1800 V, VGE = -15 V ~ 15 V			500		nC
Kapasitas input	Ces	VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C			6.38		nF
Kapasitansi Output	Coes				0.5		nF
Kapasitas transfer terbalik	Cres				0.13		nF
Resistensi Gerbang Dalam	RGint				5		ω
Waktu penundaan menyala	td (on)	VCC = 1800 V, IC = 63 A, RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V, Ls = 3600 nH, beban induktif	Tvj = 25 °C		600		n
Waktu penundaan menyala	td (on)		Tvj = 150 °C		680		n
Waktu naik	tr		Tvj = 25 °C		260		n
Waktu naik	tr		Tvj = 150 °C		300		n
Waktu penundaan pemutus	td (off)		Tvj = 25 °C		1700		n
Waktu penundaan pemutus	td (off)		Tvj = 150 °C		1900		n
Waktu musim gugur	tF		Tvj = 25 °C		1000		n
Waktu musim gugur	tF		Tvj = 150 °C		1500		n
Menghidupkan Energi Pemancar	EON	VCC = 1800 V, IC = 63 A, RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V, Ls = 3600 nH, beban induktif, FWD: ½ DD125F33K2	Tvj = 25 °C		67		mJ
Menghidupkan Energi Pemancar	EON		Tvj = 150 °C		91		mJ
Penutupan Energi Pemanas	EOFF		Tvj = 25 °C		88		mJ
Penutupan Energi Pemanas	EOFF		Tvj = 150 °C		110		mJ
Arus sirkuit pendek	Isc	VGE = 15 V, tpsc ≤ 10 µs, VCC = 2500 V, Tvj = 150 °C, VCEM ≤ 3300 V			270		A

Katalog IGBT Dies

Rentang produk yang lengkap memenuhi permintaan pelanggan akan die IGBT dengan berbagai tingkat tegangan.
Pelanggan dapat memilih antara wafer 8 inci dan 12 inci, yang membantu mereka secara efektif mengurangi biaya.

IGBT Katalog die

Nomor item	S p ec		TEKNOLOGI	Band
Nomor item	Tegangan	C arus	TEKNOLOGI	Band
10	4500V	50A	Ep T -FS
	3300V	62.5A	Ep T -FS
	1700V	75A	Trench-FS
		100A	Trench-FS
		150A	Trench-FS
		200A	Trench-FS
	1200V	100A	Trench-FS
		140a	Trench-FS
		150A	Trench-FS
		200A	Trench-FS
		250A	Trench-FS
		300A	Trench-FS
	950V	100A	Trench-FS
	950V	200A	Trench-FS
	750V	200A	Trench-FS
	750V	315A	Trench-FS
	650V	75A	Trench-F S

Pabrik modern otomatis

Pabrik otomatis modern memastikan bahwa semua indikator kinerja dari pRODUK sangat konsisten, meminimalkan perbedaan parameter setiap produk sekecil mungkin. Hal ini tidak hanya menjamin keandalan dan konsistensi produk kami, tetapi juga menjadi jaminan penting bagi operasi peralatan pelanggan yang aman dan andal.

Laboratorium yang dilengkapi dengan baik

Kami memiliki laboratorium pengujian yang dilengkapi secara memadai dan melakukan kontrol kualitas produk secara ketat. Hal ini memastikan bahwa tingkat kelulusan produk yang kami serahkan kepada pelanggan mencapai 100%.

Kapasitas produksi yang memadai

Kekuatan komprehensif produsen yang kuat dan kapasitas produksi yang mencukupi memastikan pengiriman setiap pesanan tepat waktu.

Aplikasi Luas

Chip IGBT kami dapat memenuhi persyaratan pembuatan modul IGBT dalam peralatan listrik untuk bidang industri seperti transportasi rel, transmisi daya, pembangkit listrik tenaga surya, penyimpanan energi, perangkat pemanas induksi, mesin las, dan kontrol otomatis.

Ragam aplikasi industri yang luas telah sepenuhnya memvalidasi kualitas chip IGBT kami dan menerima pujian tinggi serta persetujuan dari pelanggan.

Pengguna kami

Pengguna kami tersebar di berbagai sektor industri.

Mengapa Memilih Kami?

B beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah pemasok utama produk semikonduktor seperti modul IGBT, IGBT discretes, chip IGBT, ADC/DAC, Thyristor di Tiongkok, yang terutama bergerak dalam distribusi resmi merek CRRC, Starpower, Techsem NARI. Dengan kualifikasi impor dan ekspor serta pengalaman 11 tahun di industri ini, kami mengekspor ke Rusia, Uni Emirat Arab, dan banyak wilayah Eropa lainnya.
Kami memiliki persyaratan ketat dalam pemilihan produsen, tim teknis yang profesional, serta pengendalian kualitas produk untuk memastikan berjalannya proyek pelanggan secara lancar di bidang transportasi rel, industri energi, kendaraan listrik, inverter penggerak motor, dan konverter frekuensi.

Sementara itu, membantu pelanggan menyesuaikan berbagai thyristor dan perakitan daya sesuai dengan persyaratan parameter khusus mereka adalah salah satu komponen penting dari layanan manufaktur berdasarkan kontrak kami dan merupakan salah satu keunggulan kami.

Pengiriman yang aman

Kami bekerja sama dengan perusahaan pengiriman internasional terkemuka untuk memastikan pengiriman tepat waktu.

Pada saat yang sama, kami dengan cermat mengemas setiap batch barang dikirimkan kepada pelanggan sesuai dengan persyaratan mereka untuk memastikan barang tiba dalam kondisi utuh dan tidak rusak.

Shipping packag-1.jpg