GD300HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C = 100o C

493

300

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

1829

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

300

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C = 300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

B C = 300A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

B C = 300A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C = 12,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.88

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, Batang Gon = 3,3Ω,

Batang Goff = 4,7Ω, V GE = ± 15V,

T j =25o C

213

n

t batang

Waktu naik

83

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

621

n

t f

Waktu musim gugur

350

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

79.2

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

70.2

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, Batang Gon = 3,3Ω,

Batang Goff = 4,7Ω, V GE = ± 15V,

T j = 125o C

240

n

t batang

Waktu naik

92

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

726

n

t f

Waktu musim gugur

649

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

104

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

108

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

248

n

t batang

Waktu naik

95

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

736

n

t f

Waktu musim gugur

720

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

115

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

116

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

B F = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

B F = 300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

B F = 300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =25o C

82.5

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

407

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

46.6

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =125o C

138

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

462

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

92.2

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =150o C

154

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

460

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

109

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

δR/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

mΩ

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.082 0.129

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g