GD300HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

1829

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

300

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 300A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC= 300A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 12,0 mA,V CE =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.88

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 300A, R Gon = 3,3Ω,

R Goff = 4,7Ω, V GE = ± 15V,

T j =25o C

213

n

t r

Waktu naik

83

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

621

n

t f

Waktu musim gugur

350

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

79.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

70.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 300A, R Gon = 3,3Ω,

R Goff = 4,7Ω, V GE = ± 15V,

T j = 125o C

240

n

t r

Waktu naik

92

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

726

n

t f

Waktu musim gugur

649

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

104

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

108

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 300A, R Gon = 3,3Ω, R Goff = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

248

n

t r

Waktu naik

95

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

736

n

t f

Waktu musim gugur

720

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

115

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

116

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =25o C

82.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

407

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

46.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =125o C

138

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

462

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

92.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =150o C

154

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

460

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

109

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

δR/R

Penyimpangan dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.082 0.129

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g