Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD300HFX170C2SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C2SA
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1700V 300A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Pelat dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC y

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1829

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C = 300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

B C = 300A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

B C = 300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.88

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, Batang G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE = ± 15V,

T vj =25o C

355

n

t batang

Waktu naik

71

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

473

n

t f

Waktu musim gugur

337

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

89.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

46.3

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, Batang G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE = ± 15V,

T vj =125o C

383

n

t batang

Waktu naik

83

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

549

n

t f

Waktu musim gugur

530

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

126

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

68.5

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, Batang G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE = ± 15V,

T vj =150o C

389

n

t batang

Waktu naik

88

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

575

n

t f

Waktu musim gugur

585

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

139

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

73.4

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

1200

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

B F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

B F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

B F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =42nH ,T vj =25o C

68

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

202

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

34.5

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =42nH ,T vj =125o C

114

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

211

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

61.2

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =42nH ,T vj =150o C

136

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

217

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

73.9

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.082 0.127

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000