GD900HFX120P1SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1522

900

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

5.24

kW

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 900A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 900A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC= 900A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.63

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

93.2

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

2.61

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A, R G= 1,6Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

214

n

t r

Waktu naik

150

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

721

n

t f

Waktu musim gugur

206

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

76

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

128

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A, R G= 1,6Ω,

V GE = ± 15V, T j =125o C

235

n

t r

Waktu naik

161

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

824

n

t f

Waktu musim gugur

412

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

107

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

165

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A, R G= 1,6Ω,

V GE = ± 15V, T j =150o C

235

n

t r

Waktu naik

161

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

876

n

t f

Waktu musim gugur

464

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

112

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

180

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF = 900A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

IF = 900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.85

IF = 900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.80

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j =25o C

86

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

475

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

618

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

71.3

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

185

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

665

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

75.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

δR/R

Penyimpangan dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

18

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.30

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

28.6

51.9

K/kW

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

825

g