Semua Kategori
DAPATKAN PENAWARAN

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD900HFX120P1SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A, Kemasan:P1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFX120P1SA
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 900A.

Fitur

  • V rendah CE (sat ) Lubang IGBT tEKNOLOGI
  • 10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
  • V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Induktansi rendah kasus
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
  • Kekuatan tinggi dan siklus termal mampu ini

Khas Aplikasi

  • Konverter Daya Tinggi
  • Energi surya
  • Kendaraan hibrida dan listrik

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C = 100o C

1522

900

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

5.24

kW

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C = 900A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

B C = 900A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

B C = 900A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.63

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

93.2

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.61

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 +15V

6.99

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, Batang G = 1,6Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

214

n

t batang

Waktu naik

150

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

721

n

t f

Waktu musim gugur

206

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

76

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

128

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, Batang G = 1,6Ω,

V GE = ± 15V, T j =125o C

235

n

t batang

Waktu naik

161

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

824

n

t f

Waktu musim gugur

412

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

107

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

165

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, Batang G = 1,6Ω,

V GE = ± 15V, T j =150o C

235

n

t batang

Waktu naik

161

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

876

n

t f

Waktu musim gugur

464

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

112

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

180

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3600

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F = 900A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

B F = 900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.85

B F = 900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.80

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j =25o C

86

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

475

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.1

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

143

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

618

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

71.3

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

185

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

665

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

75.1

mJ

NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

δR/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

18

nH

Batang CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.30

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

28.6

51.9

K/kW

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

825

g

Rangka kerja

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

DAPATKAN PENAWARAN

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000