GD800HFA120C6SD, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 o C

800

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C

4687

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T vj =12 5o C @ T vj = 175 o C

2392

2448

A

Saya 2t

Saya 2t- nilai ,t p = 10 mS @ T vj =125 o C @ T vj = 175 o C

28608

29964

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj =25 o C

1.40

1.85

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj =125 o C

1.60

Saya C = 800A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

28.4

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R G =0.5Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =25 o C

168

n

t r

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

428

n

t f

Waktu musim gugur

123

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

43.4

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

77.0

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A,

R G =0.5Ω, L S = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =125 o C

172

n

t r

Waktu naik

84

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

502

n

t f

Waktu musim gugur

206

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

86.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

99.1

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A,

R G =0.5Ω, L S = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj = 175 o C

174

n

t r

Waktu naik

90

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

531

n

t f

Waktu musim gugur

257

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

99.8

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

105

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.00

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.60

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.50

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,T vj =25 o C

47.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

400

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.6

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,T vj =125 o C

82.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

401

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.5

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,T vj = 175 o C

110

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

413

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

34.8

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K