GD800HFA120C6SD, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

800

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1600

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

4687

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

IFSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

I2t

I2t- nilai ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.40

1.85

V

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.60

IC= 800A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

28.4

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A, R G=0.5Ω, L D= 40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

n

t r

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

428

n

t f

Waktu musim gugur

123

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

43.4

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

77.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A,

R G=0.5Ω, L D= 40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

n

t r

Waktu naik

84

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

502

n

t f

Waktu musim gugur

206

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

86.3

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

99.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 800A,

R G=0.5Ω, L D= 40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

n

t r

Waktu naik

90

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

531

n

t f

Waktu musim gugur

257

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

99.8

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

105

mJ

ISC

Data SC

t P≤8μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,

V CC = 800V, V CEM ≤1200V

2600

A

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,

V CC = 800V, V CEM ≤1200V

2500

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

IF = 900A,V GE =0V,T vj =125o C

1.60

IF = 900A,V GE =0V,T vj =175o C

1.50

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T vj =25o C

47.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

400

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T vj =125o C

82.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

401

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T vj =175o C

110

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

413

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

34.8

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K